安森美推出8款新的中等功率MOSFET器件

2008-11-17 09:43:12编辑:孙树宾 关键字:推出  中等  功率  器件
森美半导体(ON Semiconductor)推出8款新的MOSFET器件,专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中,这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域(SOA)安森美半导体的新MOSFET器件提供额外的安全裕量,免应用受未预料的电压瞬态影响。

 

这些新的60(V)器件均是单N沟道MOSFET,提供较低的导通阻抗(RDS(on)),将功率耗散降到最低。这些器件更提供低门电荷和低门电荷比,降低传导和开关损耗。所有这些性能特性,使电源子系统能效更高。

                   

 

安森美半导体MOSFET产品部副总裁兼总经理Paul Leonard说:“这些新的中等电压器件,壮大了安森美半导体优异的、配合市场需要的功率MOSFET阵容。我们计划持续推出针对市场应用的MOSFET解决方案,满足我们消费和工业应用的扩大客户需求,强化安森美半导体高能效电源开关解决方案供应商的业界领先地位。”

 

器件

这些器件提供宽的规范点范围,让设计人员能够灵活地选择采用DPAKD2PAKTO-220封装的最优导通阻抗(RDS(on))和门电荷组合。

VDS (V)

ID (A)

Rdson (mΩ) @ 10 V

Qg (typ) (nc)

EAS (mJ)

NTB5411N

D2PAK

60

75

8.5

92

336

NTP5411N

TO-220

60

75

8.5

92

336

NTB5412N

D2PAK

60

60

14

62

211

NTP5412N

TO-220

60

60

14

62

211

NTB5426N

D2PAK

60

120

5

170

1000

NTP5426N

TO-220

60

120

5

170

1000

NTD5413N

DPAK

60

45

21

33

101

NTD5414N

DPAK

60

20

37.5

21.2

57.8

 

RoHS指令要求,并采用无铅封装。

关键字:推出  中等  功率  器件

来源: 电子工程世界 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2008/1117/article_1080.html
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