瑞萨发布双类型的功率MOSFET产品

2008-07-25 13:30:14来源: 电子工程世界 关键字:发布  类型  功率  产品

Renesas Technology Corp.        RJK0383DPA        RJK0383DPA1

2        <PCMOSFETRJK0383DPA        <MOSFETRJK0383DPA        RJK0383DPA        <DC/DC 

<日本市场价格> *仅供参考

 

产品名称

封装

样品价格[包括税金](日元)

RJK0383DPA

WPAK
(瑞萨封装代码)

 95

 

<规格

产品名称

项目

最大额定值

导通电阻,RDSOn)(m

Qgd*
nC

VDD=10V

封装

VDSS
V

ID
A

VGS = 4.5 V

VGS = 10 V

典型值

最大

典型值

最大

RJK0382DPA

高侧MOS

30

15

12.0

16.8

8.5

11.1

1.5

WPAK
(瑞萨封装代码)

低侧MOS
SBD** 片上)

30

45

3.7

5.2

2.5

3.3

6.5

<参考>
RJK0384DPA

高侧MOS

30

15

12.0

16.8

8.5

11.1

1.5

低侧MOS
SBD** 片上)

30

42

4.3

6.0

2.9

3.8

5.2

<参考>
RJK0389DPA

高侧MOS

30

15

11.8

16.5

8.2

10.7

1.4

低侧MOS
SBD** 片上)

30

20

10.5

14.7

6.8

8.9

2.2

 

 

* -栅负载(Qgd

**SBD:肖特基势垒二极管

 

<图片>

 

 

<注释>

1.WPAK高热辐射封装:在一个功率MOSFET中,热量是由导通电阻、开关和类似的功耗因素生成的。电流大小的控制是由这种热量如何有效地被释放来决定的。WPAK封装结构有助于将板背面的散热片芯焊点的热量散到板上,从而实现较大电流的控制。

2.高侧和低侧单元:这些单元用于非隔离型DC/DC转换器开关,通过高侧和低侧之间的交替通/断的方法进行电压转换。在高侧导通时间,可以控制每个周期的大约10%的短脉冲,余下的90%是低侧单元的导通时间。因此,一个单元的特征强调的是高侧单元选择的开关速度,另一个特征强调的是低侧单元选择的低导通时间。

3.导通电阻:功率MOSFET工作时的工作电阻。导通电阻是影响功率MOSFET性能的最重要的参数,导通电阻下降时性能增加。

4.布线电感自然地出现在布线中的寄生电感,其值大约与布线长度成正比。该值越大,功率MOSFET和肖特基势垒二极管之间的电流开关时间越长,开关损耗也就越大。

 

关键字:发布  类型  功率  产品

编辑:孙树宾 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2008/0725/article_959.html
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