ST推出基于SOI基板的0.16μmBCD工艺制造芯片

2011-04-12 20:40:58来源: ST
  意法合资的意法半导体ST Microelectronics)宣布,该公司验证了计划用于医疗器械及混合动力车和电动汽车充电器的“超低”功耗芯片用工艺技术。该技术由名为SmartPM(Smart Power Management in Home and Health)的欧洲联盟开发。

  SmartPM是在EU的ENIAC(欧洲纳电子行动顾问委员会)框架内结成的联盟,由意法半导体和欧洲的17个伙伴团体组成。17个团体分别是比利时、法国、德国、爱尔兰、意大利、荷兰、挪威、西班牙以及瑞典等9个国家的企业和学术机构。

  此次用于制造验证芯片的是使用SOI(silicon-on-insulator)基板的BCD(bipolar-CMOS-DMOS)工艺,采用 0.16μm的曝光技术。利用该工艺,可在一枚芯片上集成绝缘层完全分离的高密度逻辑电路(1.8V和3.3V的CMOS)、最大耐压为300V的功率 MOSFET晶体管、低噪声元件以及高电阻寄存器。能够实现利用原来的体硅基板无法实现的ASIC。

  验证芯片由意法半导体与世界顶级医疗器械厂商合作开发。是一款用于超声波扫描仪的芯片。此次的芯片可进行100沟道以上的处理,利用该芯片,能够实现拥有数千沟道的新一代超声波扫描仪。另外,利用现有的普通技术,一枚芯片只能进行8沟道左右的处理。

关键字:ST  SmartPM  超声波芯片

编辑:鲁迪 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/medical_electronics/2011/0412/article_1985.html
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