Littelfuse低电容瞬态抑制二极管可加强浪涌保护

2017-06-07 15:32:56来源: EEWORLD 关键字:Littelfuse  低电容瞬态抑制二极管  浪涌保护  ESD  CDE  EFT


Littelfuse低电容瞬态抑制二极管阵列可加强ESDCDEEFT与雷击感应浪涌保护

保护10/100/1000以太网、WAN/LAN等高速差分数据线


Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今日宣布推出一个低电容瞬态抑制二极管阵列产品系列,用于保护高速差分数据线免因静电放电(ESD)、电缆放电(CDE)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌而损坏。每个SP2555NUTG系列瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)均可在高达45A和30kV ESD的条件下保护四个通道或两个差分线对。 SP2555NUTG系列产品的浪涌容差高于目前市面上的瞬态抑制二极管阵列,并可达到新兴以太网协议较低的电压目标。


SP2555NUTG瞬态抑制二极管阵列


SP2555NUTG系列的典型应用包括10/100/1000以太网、WAN/LAN设备、桌上型电脑、服务器和笔记本电脑、LVDS接口、集成式磁性元件与智能电视。


“凭借每个输入/输出2.5pF的低电容以及较低的箝位电压水平,SP2555NUTG系列成为笔记本电脑、交换机和其他网络设备中1GbE应用等高速数据接口的理想选择。” Littelfuse瞬态抑制二极管阵列产品经理Tim Micun表示,“低电容可维护信号完整性,并最大限度地减少数据丢失,同时提供免受电气威胁的更强大设备。”


SP2555NUTG系列瞬态抑制二极管阵列具有下列突出优势:

  • 每个输入/输出2.5pF的低电容有助于维护信号完整性,并最大限度地减少数据丢失,同时提供免受电气威胁的更强大设备。

  • 3.0mm x 2.0mm μDFN封装经过优化,可在高达45A和30kV ESD的条件下保护两个差分数据线对(四个通道)。

  • “直通型”设计可保障信号完整性、减少电压过冲并简化印刷电路板设计。


关键字:Littelfuse  低电容瞬态抑制二极管  浪涌保护  ESD  CDE  EFT

编辑:千里千寻 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2017060734096.html
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