精简制程整合核心 瑞萨描绘低功耗MCU蓝图

2010-11-23 10:11:33来源: CTimes

    当其他竞争者正在把控制器产品线往8位元和32位元移动集中之际,瑞萨(Renesas)电子则持续坚持提供完整涵盖8、16和32位元微控制器的产品线,针对16位元低功耗微控制器,瑞萨也有进一步的发展策略。

    瑞萨电子MCU事业本部统括部长川下智惠(Norishige Kawashimo)表示,目前瑞萨依旧同时具有R8C、78K、RX、SuperH、V850等5种CPU架构的MCU产品线,其中R8C和78K核心针对低功耗市场应用,RX架构则是针对中阶MCU产品,而SuperH和V850核心则是锁定高阶MCU应用。尽管V850和78K这2款CPU核心先前属于NEC电子,在瑞萨与NEC合并、同时进一步提升MCU制程环境整合度的努力下,瑞萨可针对这5种不同CPU内嵌Flash存储器的架构,提供相适应最佳化的制程技术。

    以R8C和78K架构为核心的16位元低功耗MCU为例,以前瑞萨的R8C架构是采用150纳米制程,藉由与NEC电子的合并效益,现在瑞萨可透过整合78K核心,将低功耗MCU内嵌Flash存储器的制程技术,提升到130纳米阶段,并且得以兼顾高效能和低功耗的设计。这款名为RL78整合核心的新世代16位元MCU架构,也能进一步涵盖8位元MCU市场。藉由整合低功耗核心MCU平台的出现,瑞萨也将从2011年开始陆续推出相关8~16位元的低功耗MCU产品。

    川下智惠进一步指出,相较于以往采用150纳米制程的R8C架构,采用130纳米制程的新世代RL78整合核心MCU产品,就明显减少50%的尺寸和功耗,在在启用实时时钟(RTC)及低电压侦测(LVD)的条件下,作业状态只需要70μA/MHz的电流量,待机时间也只有0.7μA的电流量。
整体来看,在与NEC电子合并之后,瑞萨电子在MCU整合Flash存储器的制程技术上,有了更为精简的策略规划。目前针对RX、SuperH和V850等高效能CPU核心的MCU产品,瑞萨将从90纳米过渡到40纳米制程,预计40纳米制程的高效能MCU样品将在2012年公布。至于整合R8C和78K的RL78核心低功耗MCU系列,便以130纳米制程为主。藉由建立新的fab network,瑞萨要进一步有效降低生产成本,并强化因应市场持续变化的需求与趋势的能力。

关键字:瑞萨

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mcu/2010/1123/article_2464.html
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