富士通的MCU创新:FRAM+ARM

2010-11-04 18:41:42来源: DigiTimes

    MCU业者除藉由自行研发或取得相关授权IP外,若加上自身研发多年的内存与频率控制等节能技术加值,加上集团企业上中下游端的垂直整合优势,亦可在众多MCU市场中开辟另一个蓝海市场…

    部分MCU业者,除自行研发或取得MCU相关IP授权,也强调集团下自有IC设计公司、晶圆厂与封测厂下,在MCU制造前端的技术规格加值及中/后段享有的垂直整合优势。

    以富士通半导体为例,其旗下MCU产品线有强调低价高效能8位FFMC8L/8FX系列CISCMCU,主打家电、工业控制车用电子、居家保全与PC周边;强调价格效能比的16位FFMC16LX/16FX系列CISCMCU,主攻车用电子、工业控制、变频/转换器应用、数字AV视听应用,以及打高阶应用、强调高效能的32位FFMCFR60/FR80SRISCMPU系列,以及从ARMCortex-M3取得授权的FM3系列MCU,同样主打车用电子、数字AV、高阶变频/转换器应用、数字相机与摄录像机等应用。

    FRAM率先导入内嵌Flash MCU普遍出货

    还处于各半导体厂商实验室进行量产研究阶段的铁电内存(FerroelectricRAM;FRAM),Ramtron、NEC以及富士通等厂商,率先在其8bitMCU上实作整合。由于FRAM具备高速?i随机非循序读写的特性,以及近乎无限次数的100亿次读写周期,被视为既DRAM/SRAM/FLash之后,另一个高速内存明日之星,目前已有9亿颗内嵌FRAMMCU出货。

    富士通以掌握自家的Flash技术,程序抹除周期可达10万次,提供20年保存期?A并提供业界最快60MHzFlash工作频率,并进而演化出DualOperationFlash技术,藉由可同时进行快速抹写与程序代码读取执行的特性,提供MCU类似内嵌E2PROM内存的效果。目前搭配富士通Flash技术的MCU出货量亦达2亿颗。

    F2MC8FXMCU工作电压从2.4V~5.5V,提供32~80pin脚位版本。内建RC频率振荡器与频率监控电路,可提供120/180度相位的正弦波形频率讯号,以及在频率停止模式下仅1μA的节能设计。内建侦测外部振荡器电路,一旦失效自动转回内部RC振荡器继续工作;低电压侦测功能,当周边装置产生压降时得以紧急处置。并提供8/16位复合定时器电路,提供客户弹性化运用。内建8/10bitA/D模拟转换电路,避免PCB线路拉长的线路阻抗感应。

    F2MC8FXMCU工作温度从-40℃~85或105℃,内嵌100K抹写次数、耐用度20年的DualOPFlash内存,无须外接EEPROM即可使用,同时内建UART串行端口传输接口、整合包含新LCD驱动电路、马达驱动器、I2C等周边控制功能,芯片内建侦错电路,可藉由提供USB接口连接外部侦错装置,或透过USB接口进行Flash韧体码重新刻录。

    产品线众多自家专属/授权架构策略并行

    在高阶应用方面,富士通2005年开发的自家专属32位FFMCFR60lite/FR60系列MPU,推进到2008年的FR80SMPU之后便不再研发新一代32bitMPU;获得ARMCortex-M3授权的富士通FM3系列MPU,设定原有的16bit/32bitMCU市场打造,以全球普遍化的ARMCortex核心,搭配KEIL、StarterKits等软硬件开发工具/中间件做开发。

    富士通FM3系列MPU,提供低电压1.8~3.6V以及针对工业控制的2.7~5.5V高电压版本,并运用原先自家8FXMCU专属架构上的研发的种种技术作加值,例如内嵌DualOPFlash技术,以及附加内建多功能定时器、UART/SIO/I2C串行端口接口,12bitA/D模拟转换线路,以及外部频率失效或压降时的侦测与重新回复能力,可应用到数字影音装置、家庭电器产品(冷气、洗衣机)、防盗保全装置、PC/OA接口设备、电源网络与智能电网等应用。 

关键字:富士通  MCU  FRAM  ARM

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mcu/2010/1104/article_2384.html
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