一文了解集成电路总体、DRAM、FPGA和光刻设备领域的专利态势

2018-05-14 08:48:27编辑:王磊 关键字:DRAM  FPGA

近日,中国集成电路知识产权联盟秘书处纲正知识产权中心发布了《集成电路专利态势报告(2018版)》。该报告分别从集成电路总体、DRAM 领域、FPGA 领域、光刻设备领域这四个方面,分析了各个领域的专利态势。


集成电路总体专利态势


首先来看集成电路总体的专利态势,据报告显示,集成电路领域专利申请量态势逐年增长。2010年-2015年间年均增长率 5.89%,其中 2015 年增速最高,达到 9.28%。


 

图源:中集知联(下同)


截止到 2017 年 12 月 31 日,集成电路领域全球公开专利申请 209.7 万件,授权 144.5 万件。其中,中国大陆申请 46.4 万件,授权 27.8 万件,紧随美国和日本之后,位列第三。


报告指出,《国家集成电路产业发展推进纲要》等全国及地方各层面战略新兴产业规划的相继出台营造了良好发展环境,激发企业活力和创造力,带动产业链协同可持续发展,推动中国集成电路领域跨越式发展。


 


截至目前,全球专利申请总量的冠军是三星,随后分别是 NEC、高通、日立、富士通、松下、东芝、三菱化学、IBM 和索尼。可以看到,在前十名中有一家韩国企业、两家美国企业和七家日本企业。


而在中国大陆专利申请总量排名中,排在第一和第二位的分别是中兴通讯和华为。随后分别是三星、国家电网、高通、京东方、松下、OPPO、英特尔和台积电。


 


从 2017 年新公开的全球专利申请量排名来看,高通和三星仍占据前两位。值得一提的是,排名前十的企业中,有三家中国企业上榜,分别是华为、中兴和京东方,可见中国企业 2017 年也在全球持续大量布局。


而在 2017 年新公开的中国大陆专利申请量排名中,申请量最大的为中兴通讯,其后为国家电网、努比亚和华为,与中国大陆申请总量排名差异不大。值得一提的是,OPPO 和小米等中国厂商进入前十,表明近年来在加强专利布局方面正在逐步追赶。


 


在集成电路行业专利技术领域排名(IPC 大组前十)中,申请量较大的领域集中于集成电路的制造、零器件、数据交换与传输、光刻设备以及存储器。


 


在中国大陆内地省市专利排名中,广东省集成电路专利申请量达 90790 件,位居全国首位。北京、江苏、上海和浙江紧随其后,分别以52067件、35336件、31298件、24493件专利申请量位居第二、三、四、五位。


总体来看,全球集成电路行业专利态势呈现五个特点:一是全球范围内集成电路行业的专利申请量现阶段趋于稳定;二是在申请人和申请地域两个维度呈现聚集的特点;三是申请人以企业为主;四是 2017 年,集成电路领域专利公开量仍然较大;五是中国信息技术申请总量中占比较高的多为经济发达地区。


DRAM 领域专利态势


在 DRAM 领域,截止到 2017 年 12 月 31 日,全球公开专利申请 14 万余件,全球申请总量排名日本最高,其后是美国和韩国。其中,中国大陆专利 6 千余件,位居第六位。


 


DRAM 行业专利申请高峰期在 1995 年到 2006 年。1995 年申请量开始新一轮激增,正是 DDR 技术开始发展的时期。巅峰时期可以达到年申请量 6000 多件,从 2007 年开始专利申请量逐年下降,近两年维持在每年 2000 件左右。


 


在全球 DRAM 专利申请总量排名中,位居前列的主要申请人有:三星、海力士、美光和日立。值得注意的是,这与 DRAM 内存市场占有率也相匹配。


而在中国大陆 DRAM 专利申请总量排名中,位居前列的企业主要有:海力士、三星、NEC 和IBM等。


总体来看,DRAM 领域专利态势呈现三个特点:一是 DRAM 领域技术发展较为成熟,技术研发投入有所减少;二是 DRAM 研发重心在于 DRAM 操作和设计方面;三是 DRAM 领域知识产权作用巨大。


FPGA 领域专利态势


在 FPGA 领域,截止到 2017 年 12 月 31 日,全球公开专利申请 8 万余件,全球申请总量排名中国大陆最高,总共申请专利 2 万余件,其后是美国和日本。


 


FPGA 领域全球专利申请经历了三个阶段,第一个阶段是 1989 年到 2000 年,处于萌芽期,申请量较少,第二阶段是 2001 年到 2012 年,是 FPGA 产业的快速发展期,年申请量直线上升,第三阶段是 2013 年到 2017 年,上升趋势趋于稳定,年申请量小幅上升。


 


在全球 FPGA 专利申请总量排名中,位居前三的企业为 ALTERA、赛灵思和 L attice。值得一提的是,在前十的排名中,有两家中国企业也入围了,分别是位居第四和第七的中国电网和中兴。


而在中国大陆 FPGA 专利申请总量排名中,主要的申请人为国家电网、中兴通讯和华为等企业及北京航空航天大学、哈尔滨工业大学、浙江大学和电子科技大学等高校。


报告指出,FPGA 领域专利主要集中在 H03K19/177和 H03K19/173矩阵式排列的逻辑电路,另外,由于 FPGA 中很多涉及硬件电路编程语言的,还有相当一部分专利聚焦在计算机辅助设计、电路测试上。


总体来看,FPGA 领域专利态势呈现四个特点:一是FPGA领域技术发展较为成熟,上升趋势趋于稳定;二是全球范围内,中国、美国和日本申请量位于前列;三是 FPGA 领域专利持有者相对比较集中;四是 FPGA 领域国内主要研发主体还是高校。


光刻设备领域专利态势


 


在光刻设备领域,截止到 2017 年 12 月 31 日,全球公开专利申请 8.2 万件,全球申请总量排名美国最高,其后是日本和韩国。其中,中国大陆专利 1 万件,位居第四位。


 


在全球光刻设备专利申请总量排名中,ASML 位居榜首,紧随其后的是卡尔蔡司、海力士和三星。


而在中国大陆光刻设备专利申请总量排名中,除 ASML 依然位居榜首外,其余位居前十的基本都是中国企业,分别有中芯国际、上海微电子装备有限公司、京东方、上海华虹宏力、上海华力微电子,还有中科院光电研究所和中科院微电子所两家科研院所。


报告指出,光刻领域专利排名较高的类别聚焦在 G03F7图纹面、H01L21专门适用于制造和处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备上,申请量明显高出其他分类。


总体来看,光刻设备领域专利态势呈现四个特点:一是光刻设备技术近几年申请量相对稳定;二是全球范围内日本和美国申请量位于全球前列,韩国第三;三是光刻设备领域中国主要的申请人中,主要为企业;四是光刻设备主要技术集中在 G03F7、H01L21两个 IPC 类别上,说明曝光材料及设备、半导体设备制造技术在光刻设备领域占比较高。

关键字:DRAM  FPGA

来源: 集微网 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/article_2018051425376.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:32层三维NAND闪存芯片年内有望在光谷量产
下一篇:OmniVision和Smart Eye引入200万像素成像解决方案,全新OV2311已上市

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

STM32f429-SDRAM+LTDC总结

买了块STM32F429I-DISC1准备搞点稍微复杂点东西,比如LCD驱动,摄像头驱动,DSP之类。先搞得是LCD驱动,F429提供了LTDC接口,就是可以直接可以用RGB的方式驱动屏幕,而用RGB方式就需要有比较大的RAM,但一般MCU的板载RAM都是很小的,都是通过外接SDRAM的方式来进行的,而SDRAM就是跟电脑外接DDR内存的原理是一样的。F429板载了一颗8Mbyte的SDRAM。关于了解SDRAM的一些常识,看了一篇doc,“高手进阶,终极内存技术指南——完整.doc”,里面讲了很多SDRAM的时序和参数。SDRAM原理:有行地址,列地址,地址线等等。还有读取每个区块就是Bank的时候先定位行地址然后定位列地址
发表于 2018-07-19 22:02:58

合肥长鑫DRAM正式投片 国产存储跨出重要一步

据怀新资讯报道,据报道,国产存储三大势力之一的合肥长鑫正式投片,这是国产DRAM产业的一个里程碑,加上早前宣布在3D NAND Flash取得进展的长江存储,国内企业在国际主流存储器上取得了重大突破。业内认为,相关公司有望受益存储国产化进程。公司方面,兆易创新与合肥长鑫合作开展12英寸晶圆存储器研发项目。亚翔集成、太极实业控股子公司曾中标合肥长鑫12寸存储器晶圆制造基地项目。
发表于 2018-07-18 10:31:43

三星抑制存储产能赚取高利润 国产存储芯片恐被狙击

据统计,2017年NAND和DRAM销售总额高达1320亿美元,比2016年的800亿美元增长了65%。销售额暴涨的重要原因之一,就是NAND和DRAM价格疯涨。其中幕后的黑手就是三星,毕竟三星在存储芯片市场的份额非常高,只要联合同为韩国企业的SK海力士,就可以轻易操纵市场。近年来,长江存储等一批企业开始攻关存储芯片,意图摆脱三星、SK海力士、东芝、镁光、闪迪等厂商的掣肘。然而,三星的两个举措很有可能是在为狙击中国存储芯片做准备。一是三星刻意控制产能,防止存储芯片价格下滑。由于三星可以控制产量,直接导致美国一些半导体设备厂商的设备出货量在短期内下滑了20%左右。三星之所以要这样做,极有可能是想在国产存储芯片上市前,再大赚一笔钱
发表于 2018-07-17 10:42:00
三星抑制存储产能赚取高利润 国产存储芯片恐被狙击

内存 Q3 景气,DRAM 乐观、NAND 有杂音

DRAM 厂南亚科将于 17 日召开法人说明会,市场预料,南亚科可望释出正面讯息,第 3 季 DRAM 市况将持续乐观。 反观另一内存 NAND Flash 市况则恐有杂音。内存市场去年出现动态随机存取内存(DRAM)与储存型闪存(NAND Flash)齐旺的罕见情况,今年来两大内存市况不同调,价格出现分歧走势。DRAM 市场今年来供需持续健康,产品价格延续扬升走势,NAND Flash 市场需求则是趋缓,产品价格回调修正。南亚科第 2 季即在 DRAM 销售价量齐扬下,营运表现亮丽,业绩逐月改写历史新高纪录,季营收达新台币 245.92 亿元,季增达 30.8% ,并刷新单季业绩历史新高纪录。内存模块厂威刚今年上半年靠着
发表于 2018-07-09 07:51:37

预计2018下半年DRAM芯片价格下半年还将增长

存储企业通常都会同时经营Flash闪存和DRAM芯片两类市场,在今年Flash闪存价格节节下滑,DRAM的相对坚挺为企业保证了盈利空间。据Digitimes 7月3日报道,专注存储市场价格追踪和研究的DRAMeXchange表示,DRAM的协议均价在第三季度将环比小幅提升。DMX高级研究员Avril Wu称,基于库存水平尚未达到安全值和三季度是传统的需求旺季(尤其是服务器、手机等)做出上述预判。不过,在越来越多产品的工艺切换到1x或者1y nm后,出货总容量亦将环比提高。至于未来几个季度,DRAM均价仍将保持稳定增长。
发表于 2018-07-04 10:17:17

中国反垄断部门对台湾集邦旗下DRAMeXchange进行突击调查

集微网消息(记者/张轶群) 继6月初中国反垄断机构对美光三星海力士三家企业位于北上深三地办公室进行突袭调查后,据集微网记者了解,本周三,国家市场监督管理总局又对台湾集邦咨询(TrendForce)旗下的半导体分析机构DRAMeXchange深圳办公室进行了突击调查。根据官网信息显示,DRAMeXchange成立于2000年,是全球知名市场研究机构集邦咨询(TrendForce)旗下半导体研究中心。专注于DRAM、NAND Flash、eMMC、SSD等存储领域和平板电脑、智能手机、PC等相关零组件产业,以及晶圆制造、IC设计、IC封测等半导体产业链相关信息。集邦咨询(TrendForce)是一家国际高科技产业研究与咨询机构,为全球
发表于 2018-07-02 18:57:30
中国反垄断部门对台湾集邦旗下DRAMeXchange进行突击调查

小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2018 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved