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环球晶订单看到2020年,产能已被预订逾半

2018-04-13 10:56:11来源: 集微网 关键字:环球晶

环球晶董事长徐秀兰今日指出,今年包含6、8与12英寸硅晶圆价格都将较去年上涨,且涨幅优于去年第4季,明年预期价格也将继续走扬,而目前环球晶订单能见度已达2020年,产能已被预订逾半,也代表2019年前整体营运表现无虞。

徐秀兰也强调,环球晶圆的技术、成本、管理能力都具优势,值得一提的是,环球晶圆在全球拥有高达16座工厂,只有2座是自己盖的,其他14座工厂都是通过并购方式取得,且全部用折价买进来,因此取得成本的优势,是比新进者更具有竞争力。


对于川普的减税新政,徐秀兰表示,这是不在预期之内的利多,环球晶在美国有2个厂,除了企业税率下降到21%外,资本支出可以加速折旧,对于获利的公司都是有利的。

至于美元贬值,去年对环球晶的确有较沉重的汇损压力,去年汇损约2.3亿元新台币,环球晶有8成订单是以美元计价;至于首季也有部分汇损,公司会在5月的首季法说向投资人说明。

徐秀兰表示,从需求面来看,绝对没有问题,因为科技趋势的发展,对于半导体的需求超乎想像,包括智能家庭、物联网、车用电子、电动车等等,就像是消费者使用了移动支付之后,就回不去了,这样的需求只会越来越多,趋势也会逐渐成形。硅晶圆产业现在不是需求问题,是供给端可能会有新加入的厂商,对产业造成影响,但由于产业进入门槛很高,加上投入的回收需要时间,因此现在难以确定产能何时可以舒缓,另外由于硅晶圆需求吃紧,因此公司也谨慎观察客户是否重复下单,目前来看没有太多这样的情形,下单与产业供需都是健康。

整体而言,徐秀兰认为,全球半导体硅晶圆的供给还不需出现大幅度的扩充,就环球晶圆本身来看,会在既有的厂房达到最佳使用空间,善用空间增加去瓶颈制程,目前也不会考虑在中国投资设新厂,日本5座厂区也没有扩产的计划,主要考量日本地震因素,需要排除生产过度集中的风险。


随着存储器相关及数据中心需求的不断攀升,台湾中美晶旗下环球晶日本子公司GlobalWafers Japan(GWJ)将投资约85亿日圆(约7950万美元)增产12英寸半导体硅晶圆,实现产能提升一成以上,同时增设一条被称为“SOI (Silicon-on-Insulator)”的高性能半导体晶圆产线,将现有SOI晶圆的月产量由约3,000片扩增至约1万片。

日经新闻报导指出,据GWJ指出,中美晶集团为全球第3大硅晶圆厂,全球市占率为17%。GWJ 2017年度(2017年1-12月) 营收年增17%至约420亿日圆,希望借增产需求攀高的硅晶圆,于2020年度将营收较2017年度提高1成以上。GWJ社长荒木隆表示,来自存储器相关及数据中心的需求攀高,使其决定增产动作。

具体来看,GWJ将在2020年结束前对新泻工厂(新泻县圣笼町)投资约80亿日圆,将12英寸硅晶圆月产能自现行的20万片提高1成以上;另外,将在2019年结束前对关川工厂(新泻县关川村)投资约5亿日圆增设一条被称为“SOI (Silicon-on-Insulator)”的高性能半导体晶圆产线,将该座工厂的SOI晶圆月产量自现行的约3,000片扩增至约1万片的水准。

日本市场研调机构富士总研(Fuji Chimera Research Institute,Inc.)指出,2020年作为半导体材料的晶圆(包含硅晶圆、SiC基板/氧化镓基板、GaN基板/钻石基板)全球市场规模预估为9,919亿日圆、将较2015年(8,841亿日圆)成长12.2%。

亚系外资指出,环球晶圆的客户对于先进及传统技术需求稳定,应用面涵盖工业用IC、电源管理IC、车用电子等,预期毛利率将从去年的25.6%提升到今年的36.3%、明年的40.8%。展望未来,依照目前市场景气动向推估,半导体产业荣景将带动硅晶圆需求持续攀升,环球晶除现行生产的半导体硅晶圆,也将投入开发数年的下一代新产品SiC、GaN量产,以因应顾客端新产品,包含5G与车用元件应用等快速成长趋势。

亚系外资出具研究报告表示,硅晶圆供给持续短缺,环球晶圆12英寸晶圆价格今明年预估将分别上涨24%、17%,8英寸晶圆价格今明年将上涨15%、8% ,因此同步调升环球晶圆今年、明年每股盈余(EPS)预估值6%、17%至28.75元、40.1元。此外,管理阶层乐观看待所有尺寸硅晶圆将续涨至2019年,并暗示2019年前70%到80%产能已被客户订走。

SUMCO去年8月也曾宣布,因半导体需求旺盛,提振作为基板材料的硅晶圆需求提升、供需紧绷,故决议在旗下伊万里工厂投入436亿日圆进行增产投资,目标在2019年上半年将12英寸硅晶圆月产能提高11万片。

关键字:环球晶

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/article_2018041324299.html
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