datasheet

产业热捧中国存储,但专利战火已经烧来

2017-12-21来源: 一财网 关键字:存储

李娜

前有VEECO诉讼中微,今有美光诉讼晋华,两宗针对中国半导体企业的诉讼案件给中国的存储产业热正面泼来了一盆冷水。

本月初,美光根据“保护营业秘密法”,以及“反勒索及受贿组织法”,在加州北部联邦法庭提起民事诉讼申请,状告台湾代工厂联华电子(UMC)和福建晋华盗窃其商业机密等不当行为。美光公司发言人称“美光积极保护其全球智财权,并将利用所有可用的法律武器来解决一切盗用行为。”

同为专注于存储器产业的公司,美光为国际大鳄,并与三星和SK海力士分享着全球90%以上的DRAM芯片蛋糕,而晋华则为存储器产业中的新贵,与长江存储、长鑫被称为中国存储产业的三驾马车。从体量上来说,晋华远不是美光的对手,不至于因为生意冲突对簿公堂,但包括晋华在内的中国存储新势力的崛起所带来的潜在威胁,这也许才是美光所无法忽视的。

近几年,作为渴望在半导体产业实现自主突破的中国来说,存储器产业成为了重要的突破口,尤其是在全球DRAM芯片九成份额都掌握在韩美两国的大背景下。

去年,武汉投资1600亿元人民币建设世界级存储器基地,主攻方向是NAND Flash。虽然当时并没有引起市场太多反弹,但随着目前国内三大存储器厂商陆续进入设备安装阶段,巨头们显然无法坐的安稳了。

先是三星宣布继续扩大资本支出,从去年的113亿美元增加至260亿美元,在研发池中稳固自我优势,后是联合SK海力士向客户发出涨价通知,明年一季度DRAM将会继续涨价,拉开产能差距。再结合美光近期的激进行为,三家全球顶级存储器厂商都已经出招。

从这个角度看,针对中国企业的专利的大战将会随时打响。过去三星、海力士和美光在专利侵权方面倾向于相互之间睁一只眼闭一只眼,但是,如果一家新公司进入市场,他们将不会给予这样的优待。而中国企业想要避开三星专利下做出3D NAND,显然是非常困难的。并且,存储产业在初级阶段可以依靠“烧钱”形成一定的产业规模,但如果想要在高精尖的技术上实现突破将会需要更长的时间。

但是,作为一个重要的半导体器件,存储器占了集成电路产值的三分之一,即便是距离成功的路途再遥远,也需要持续投入。所以,这几年不少地方政府不计成本的投入本质上也是在加速技术扩散的过程,以吸引更多的先进技术和管理方法进入国内,从而缩小与国际巨头之间的差距。

关键字:存储

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/article_2017122120871.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:国产半导体耗材破局 鼎龙股份打破外资CMP垄断
下一篇:三星抢晶圆代工市场增长,竞争实力受怀疑

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

PCM相变存储芯片成研发热门,2021年有望推出3D XPoint芯片

作为当前最尖端的高科技之一,半导体芯片这几年在国内很热门,不仅在媒体报道上刷屏,而且国内最近几年上马了不少半导体项目,几乎涉及到从设计到制造再到封装在内的各个领域。在众多半导体项目中,存储芯片是国内优先发展的,毕竟国内的NAND闪存及DRAM内存两大类存储芯片几乎是100%进口的。国内比较重要的存储芯片项目有长江存储、合肥长鑫及福建晋华,但在NAND/DRAM内存之外,还有一个项目值得注意,那就是江苏时代芯存公司的PCM相变存储芯片项目,总投资高达130亿元,一期投资43亿元,在江苏淮安建设的晶圆厂明年Q1季度就要量产了,号称年产10万片12英寸PCM晶圆,销售额高达20亿美元。对于PCM相变存储芯片,我们之前的报道零星提过这种
发表于 2018-12-06
PCM相变存储芯片成研发热门,2021年有望推出3D XPoint芯片

关于LPC1768的存储地址、运行地址、向量地址

,当要在ram中调试时,将向量地址指向ram。以上是程序内容的变化,然后还有链接文件的变化,分别对应以下两个文件:通过ultra-edit打开,发现两份链接文件的区别主要是向量地址,ROM地址,RAM地址发生了变化。由于链接文件是给程序编译、链接用的,因此一旦链接文件确定,程序就必须按照链接文件中规定的地址存储。这里的链接地址也认为是存储地址。由于bin文件格式本身是不带程序运行地址信息的,因此在用J-LINK烧写时,必须指定BIN文件的烧写地址。如程序从0x00000000运行,则从0x00000000开始烧写,如从0x00001000运行,则从0x00001000开始烧写。程序运行,MCU上电后,总是从0x00000000地址开始
发表于 2018-11-30
关于LPC1768的存储地址、运行地址、向量地址

垄断时间持续发酵,存储三巨头每家或被罚25亿美元

论证,依法做好案件调查处理工作,维护市场公平竞争,保护消费者利益。分析:每家企业或罚25亿美元 《金融时报》报道, 对于反垄断局官员的表态,三星和SK海力士拒绝发表评论,而镁光没有回应记者的置评请求。 据悉,这三家公司控制着动态随机存取存储器(DRAM)芯片全球市场的95%,这类芯片广泛用于电脑和智能手机。 美国研究公司IC Insights介绍,DRAM芯片价格在过去30年大多数时间里呈现稳步下降。然而,2017年,每比特(单层存储单元,bit)价格上涨47%,今年延续了涨势。 得益于售价增长及销量增加, 镁光2017财年、2018财年创佳绩,2017财年Q4营收同比大涨91%;整个2018年美光收入同比增
发表于 2018-11-21
垄断时间持续发酵,存储三巨头每家或被罚25亿美元

加速自动驾驶研发流程 美国昆腾推高性能车载存储产品

据外媒报道,当地时间11月15日,美国昆腾公司(Quantum Corp.)宣布推出新型增强型、车载存储解决方案,专为移动远程获取视频以及其他物联网(IoT)传感器数据而设计。其移动存储(Mobile Storage)产品提供不同容量和性能模型,设计用于自动驾驶车辆研发等移动环境,自动驾驶车辆每天都产生数TB的视频、图片和传感器数据。通过自动卸载数据至StorNext共享存储环境的独特功能以简化数据摄取。该新产品与昆腾的StorNext高性能并行文件系统结合使用,为自动驾驶车辆研发提供了完整的工作流程。此外,昆腾移动存储产品还可用于火车、公共汽车和军事车辆视频等其他移动存储环境。用于自动驾驶车辆研发的车载存储单元必须满足独特
发表于 2018-11-19

长江存储3D NAND好消息频传!32层年底投产、64层明年投产

        集微网消息(文/小北)近日,长江存储好消息频传,继32层3D NAND将于2018年底前投产,又有业内人士透露,Xtacking架构64层NAND已送样至合作伙伴进行测试。长江存储有望在2020年进入128层3D NAND并与国际大厂展开竞争。        今年4月,长江存储武汉基地芯片生产机台正式进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。集微网此前报道已指出,长江存储设备搬入、调试将耗费3个月左右的时间,然后开始小规模试产,顺利的话,将于四季度进行32层3D NAND闪存芯片的量产。   
发表于 2018-11-15

长江存储 年底可望投产

        尽管受到来自美国方面的批评与制裁,半导体产业仍受到大陆政府全力扶植,近日传出,2016年在湖北武汉成立、总投资达240亿美元的长江存储正加快建设步伐,有望在2018年年底投产,实现每月30万片晶圆的产能目标。        大陆是全球存储器芯片消费的第一大国,但关键技术上几乎仰赖境外,为此,大陆政府在“十三五”规划与“中国制造2025”中,均将推动本土半导体产业发展作为重要任务。        通过近年努力,目前大陆制造半导体存储器芯片已形成三大重心,分别是福建晋华、合肥长鑫与长江存储,福建晋华
发表于 2018-11-15

小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2018 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
pt type="text/javascript" src="//v3.jiathis.com/code/jia.js?uid=2113614" charset="utf-8">