格罗方德建设“制造基地+生态圈”

2017-12-20 10:43:22编辑:冀凯 关键字:格罗方德

  成都9月20日讯(记者 陈淋)备受电子信息行业关注的格罗方德12英寸晶圆成都制造基地项目又有新进展。9月20日,记者从成都高新区获悉,位于成都高新区西部园区的格罗方德Fab11晶圆代工厂项目近日举行芯片厂房钢桁架吊装仪式,芯片厂房将在10月底前封顶。

  今年2月,全球第二大晶圆代工厂格罗方德半导体股份有限公司在成都高新区启动累计投资超过100亿美元的12英寸晶圆制造基地项目(即代号为“Fab11”的格罗方德晶圆代工厂),并发布公司在中国市场的全新中文名称“格芯”。5月,格罗方德又宣布将与成都市合作,共同推动实施FD-SOI生态圈行动计划,在成都建立一个世界级的FD-SOI生态系统。

  短短数月,格罗方德12英寸晶圆成都制造基地项目以及FD-SOI生态圈建设快速推进,实现“加速度”。格罗方德Fab11项目相关负责人透露,目前,FD-SOI生态圈的建设已逐步展开,已有数家中国客户通过产业生态圈找到格罗方德,开展了基于22纳米FD-SOI工艺的产品设计和试生产。

  格罗方德Fab11项目的持续推进,将对成都高新区集成电路产业的发展产生强劲推力。成都高新区电子信息产业局相关负责人表示,成都高新区电子信息产业已形成集群优势,今年 1-7月,实现产值1304.9亿元,同比增长20.6%,增加值增长49.9%。7月,成都高新区出台《关于支持电子信息产业发展的若干政策》,设500亿元产业基金,重点支持集成电路、新型显示、信息终端、软件和信息技术服务四大特色优势领域以及人工智能等新兴领域发展,加快建设具有世界影响力的电子信息产业集群。

  4800余人加速建设 芯片厂房将10月底前封顶

  40余万平方米的工地上,17台塔基同时施工,施工人员熟练地操作着设备,管理人员及时跟进现场进度、调度安排……位于成都高新区西部园区的格罗方德Fab11晶圆代工厂一期项目建设现场,4800余人奋战其间。开工至今历时近200天,安全工时430万小时,这些数字还在不断刷新中。

  按照计划,累计投资达百亿美金的格罗方德Fab11项目将分为两期建设。一期为主流CMOS工艺12英寸晶圆生产线,预计2018年年底投产;二期为格罗方德最新的22FDX®22nm FD-SOI工艺12英寸晶圆生产线,预计2019年四季度投产。

  “芯片厂房将在10月底前封顶。” 格罗方德Fab11项目相关负责人告诉记者,根据前期规划,除了芯片厂房外,施工项目还包括中央动力厂房、厂务设施罐区、办公用房等区域。工程项目成员将时刻保持良好工作状态,确保2018年3月底实现生产设备顺利入场并完成装机和工艺调试,以便明年年底顺利投产。

  据介绍,格罗方德Fab11项目内部将采用世界一流的自动化技术,建设自动化物料运送系统、厂务管理系统、数据分析系统等,打造智能电子厂房,实现全自动化晶圆制造。为实现晶圆生产对洁净环境的高要求,格罗方德Fab11项目还将打造6.5万平方米的晶圆生产洁净室,洁净等级为100级,局部房间达到1级标准。

  产业链上下游企业成功对接 加快推进产业生态圈建设

  5月,格罗方德宣布与成都市合作,共同推动实施FD-SOI生态圈行动计划。双方将用6年时间,共建世界级FD-SOI生态系统,助推成都成为全球卓越的集成电路设计和制造中心。这也恰好呼应了成都国家中心城市产业发展大会中提出的“大力开展以跨国公司为核心的产业生态链生态圈建设,吸引协作配套企业汇聚成都”的产业规划。

  根据FD-SOI生态圈行动计划,格罗方德将在成都建立多个研发中心,与高校合作开展研究项目,吸引更多顶尖半导体公司落户成都。格罗方德Fab11项目相关负责人透露,目前,FD-SOI生态圈的建设已逐渐展开,已有数家中国客户通过产业生态圈找到格罗方德,开展了基于22纳米的FD-SOI工艺的产品设计和试生产。

  格罗方德“22FDX”工艺采用22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)晶体管架构,为无线的、使用电池供电的智能系统提供业界最佳的性能、功耗和面积组合。格罗方德在成都高新区建设的全球首条22纳米FD-SOI 12英寸晶圆代工生产线,产品将广泛应用于移动终端、物联网、智能设备、汽车电子等领域。

  “格罗方德Fab11项目建成后将成为世界上标准最高、体量最大的晶圆代工厂之一,将对成都高新区集成电路产业的发展产生强劲推力。”成都高新区电子信息产业局相关负责人说,目前,成都高新区电子信息产业已形成集群优势,