国内首个功率半导体器件及应用创新中心落户湖南

2017-09-28 10:43:56来源: 华声在线 关键字:功率半导体

日前,湖南省IGBT产业对接会暨中国IGBT技术创新与产业联盟第三届学术论坛在株洲举办,国内IGBT产业链的9家单位签署框架协议,共同创建国内首个功率半导体器件及应用创新中心。

该创新中心由中车时代电气、国家电网、南方电网、格力电器、中科院微电子所、中环半导体、湘投控股、时代新材、时代电动9家单位共同参与组建,汇集企业、高校、科研院所、投资基金,打通上下游,形成“材料-器件-装置-应用”的完整产业链,打造利益共同体,共同解决我国在功率半导体器件领域的共性技术。

按照《中国制造2025》规划,到2020年,我国将建立15家左右国家级制造业创新中心。功率半导体技术是关系国民经济命脉的众多重点领域的共性关键技术,涉及“中国制造2025”中先进轨道交通装备、节能与新能源汽车、电力装备、新材料等行业。根据中国半导体行业协会统计,2016年,中国功率半导体市场规模达1496.1亿元,占全球的55%。但长期以来,由于创新链各环节衔接不畅,创新主体分散,导致行业“技术孤岛”现象严重,原始创新能力不足,对国际技术路径和产品存在严重依赖。

近年来,湖南的IGBT产业得到持续较快发展,全产业链产值约300亿元,拥有一批行业领军企业。其中,中车时代电气是国内唯一具备晶闸管、IGCT、IGBT全套技术并实现大批量应用的企业,拥有国内第一条高压IGBT模块生产线,全球第二条、国内第一条8英寸IGBT专业芯片生产线,在英国林肯设立了半导体研发中心。现场,中车时代电气与国家电网、格力电器、中科院微电子所、时代电动4家单位就IGBT产业合作进行了签约。

论坛期间,英国皇家工程院院士、剑桥创业中心董事弗洛林·乌德雷亚,中车株洲电力机车研究所有限公司副总经理、新型功率半导体器件国家重点实验室主任冯江华等专家,就IGBT的领域应用、解决方案、未来发展进行了专题探讨。

本次会议由工信部电子信息司、湖南省经信委、株洲市政府、中国IGBT技术创新与产业联盟联合主办。

关键字:功率半导体

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/article_2017092818415.html
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