GF和VeriSilicon携手 22FDX单芯片抢NB-IoT商机

2017-07-17 21:17:53来源: DIGITIMES 关键字:GF  VeriSilicon  22FDX  单芯片  NB-IoT

GlobalFoundries大力加速22纳米FD-SOI(22FDX)导入物联网领域,与IC设计服务公司VeriSilicon结拜为拜把兄弟,携手推出业界首款新世代的低功耗广域网路(LPWA)单芯片IoT解决方案,计划年底以整合解决方案为基础的测试芯片投片生产,连同芯片验证一同完成,目标是2018年年中取得营运商许可。

 

目前两大LPWA连线标准为美国的LTE-M,以及逐渐在欧洲、亚洲取得一席之地的NB-IoT。在后者,大陆已经全面锁定NB-IoT,并将于2018年进行全面性的NB-IoT部署。

 

根据ABI Reasearch研究,此两大技术结合后,预期到2021年,M2M移动模组出货量可能逼近5亿台。

 

GlobalFoundries和VeriSilicon看中此商机,已着手开发IP套件,以双模式的基频数据机搭配整合式射频前端模组,客户可以达到成本和功率都最佳化的单芯片解决方案,强化全球布局的商机,该解决方案可以广泛实现蜂巢式数据机模组,包括整合式基频、电源管理、RF射频,以及结合IoT(NB-IoT)与LTE-M功能的窄频。

 

重点是,该解决方案是采用GlobalFoundries的22FDX制程,利用该技术平台为物联网应用提供合乎成本的扩充能力,并降低耗电量。GlobalFoundries表示,22FDX能够以单芯片整合射频、收发器、基频、处理器和电源管理元件的技术,相较于现有的40纳米技术,预计在效能和晶粒尺寸方面,可以达到80%以上的改善。

 

未来GlobalFoundries位于成都的FDX的12吋晶圆,将整合式NB-IoT、LTE-M单芯片解决方案等IP平台,可望对大陆物联网(IoT)和物联人工智能(AIoT)产业带来重大的影响。

 

GlobalFoundries与VeriSilicon预计将于2017年第4季以整合解决方案为基础的测试芯片投片生产,连同芯片验证一同完成,目标是2018 年年中取得营运商许可。

 

GlobalFoundries指出,随着智能城市、家居、工业应用的连线装置数量重担日增,网路供应商也着手开发全新的通讯协定,能够更符合物联网标准和需求,而LPWA技术运用现有的LTE频谱和移动基础架构,但最大优势是,可提供超低功率、扩大范围,并于传输小量少用数据的装置上,像是连网水表、瓦斯表等。

 

GlobalFoundries产品管理资深副总裁Alain Mutricy表示,22FDX技术的定位,就是适合用于支援低功率电池供电的物联网装置,以满足物联网时代来临的爆炸性成长,大陆更是这个商机的中心。

 

Mutricy进一步表示,大陆已在全国各地致力投入布局物联网和智能城市,刚好我们与VeriSilicon的合作,是最适合拓展该商机的,VeriSilicon也协助我们在成都建立12吋晶圆厂的FD-SOI生态系统。

 

VeriSilicon执行长戴伟民表示,从5年多前开始,VeriSilicon就基于芯片平台即服务(SiPaaS)的理念开始开发FD-SOI的IP,至于物联网应用方面,除了成本的优势外,整合式射频、机身偏差和嵌入式存储器如MRAM等,都是看好FD-SOI技术可以超越28纳米Bulk CMOS之处。

 

戴伟民进一步指出,在GF的22FDX整合射频与PA后,基频和协定堆叠在能源效率佳且可编程的ZSPnano上实作,有低延迟能力和讯号处理的单一周期指令,使控制及数据流达到最佳化。

关键字:GF  VeriSilicon  22FDX  单芯片  NB-IoT

编辑:王磊 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/article_2017071716168.html
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