高通、三星10纳米首役告捷,决胜关键在良率及产能

2017-01-06 10:10:12来源: 集微网 关键字:高通  三星

高通发布首款由三星电子10纳米制程打造的旗舰级处理器芯片骁龙(Snapdragon)835,具备Quick Charge 4.0快充技术、虚拟实境(VR)、机器学习等亮点,已成功吸引包括三星、乐金电子、小米、Oppo、Vivo等智能手机品牌厂下单排队,未来三星10纳米制程良率和产能配置,将攸关高通Snapdragon 835出货及版图扩张。


近期半导体业界纷高度关注高通Snapdragon 835发展动向,以及三星10纳米制程竞争力,面对联发科台积电携手首颗10纳米产品Helio X30大举进逼,高通此役不仅攸关2017年手机芯片大厂竞局变化,更是三星与台积电在10纳米先进制程的顶尖对决。


高通先前推出的旗舰级芯片Snapdragon 820/821,系采用三星14纳米FinFET制程及改良版14纳米LPP(Low Power Plus)制程生产,并导入超过200款手机和平板电脑等终端移动装置,高通新问世的Snapdragon 835采用三星10纳米制程,已进入量产阶段,2017年上半搭载Snapdragon 835的各家手机将陆续量产出货。


高通Snapdragon 835芯片应用领域涵盖智能手机、VR/AR头戴式屏幕、IP网路摄影机、平板电脑、移动式个人电脑等终端装置,目前已传出多家手机大厂将采用高通Snapdragon 835芯片,包括三星、小米、乐金、Oppo、Vivo等。


半导体业者认为,10纳米制程对于半导体大厂而言是一道极具挑战的关卡,高通Snapdragon 835芯片后续出货及决胜关键,将是三星10纳米制程良率是否能改善,以及有无充足的10纳米制程产能可供应手机大客户需求。


高通产品管理资深副总裁Keith Kressin在CES上揭露Snapdragon 835细节,其采用8核心搭载Kryo 280 CPU,包含4个时脉可达2.45GHz的性能核心,以及4个时脉可达1.9GHz的效能核心,并加入支持机器学习功能,透过升级至Snapdragon类神经网路处理引擎软件框架,可支持如Google的人工智能(AI)技术TensorFlow,让芯片可以自我学习各种功能,了解使用者习惯,或是强化AR/VR使用体验等。


Snapdragon 835亦支持Google Daydream移动VR平台,强化视觉与音效、直觉互动等功能,包括高达25%的3D绘图着色效能,以及透过Adreno 540视觉处理子系统支持高达60倍的彩度提升,另支持4K HDR10影片格式、10位元超宽色域显示、物体与场景式3D音效,以及6DoF技术为基础的AR/VR动态追踪。


另外,高通Snapdragon 835亮点之一是Quick Charge 4.0快充技术,相较于Quick Charge 3.0充电速度提高20%,充电5分钟约可达5小时的电池容量,充电15分钟可达到装置电池容量50%,Snapdragon 835封装尺寸缩小35%,功耗降低25%,拥有更轻薄设计及更长电池续航力,且新增高通Haven安全平台,针对生物辨识与装置验证提供更严密的防护。


高通上一代Snapdragon 820/821芯片问世至今,陆续拿下包括华硕ZenFone 3 Deluxe、三星S7/S7 Edge、小米5、LG G5、HTC 10、Le Max 2、Vivo Xplay5、Sony Xperia X Performance、OnePlus 3等客户产品订单。


关键字:高通  三星

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/article_2017010612645.html
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