诺贝尔奖后 日本GaN产学应用新动态

2016-07-26 09:34:07来源: Digitimes
当诺贝尔奖委员会在2014年宣布物理奖得主是发明蓝光LED而得奖的日本学者赤崎勇、天野浩与中村修二三位学者后,掀起日本人对LED及氮化镓(GaN)注意,也让相关研究单位及研究计划获得更多的支持与关注。
 
比方2015年以诺贝尔奖得主天野浩带头的新单位─名古屋大学GaN联盟,便有29家企业、14所大学、与2个技术研发基金会加入;日本产业技术总和研究所(AIST)与名古屋大学(Nagoya University)合作,在2016年成立产总研名大氮化镓半导体先进零组件开创研究实验室(GaN-OIL),都是诺贝尔奖后的成果。
 
而也就在2016年4月,丰田汽车(Toyota Motor)捐助名古屋大学成立2个单位,丰田尖端功率半导体产学协同研究部门,以及研究捐款部门。丰田干部对该社会长内山田竹志的移动表示,这是希望仿效产官学合作成功的德国范例,让先进技术能顺利快速的成为市场标准的作为。
 
天野浩自1995年让GaN材料的蓝光LED实用化后,接下来20年的努力目标,基本上在扩大GaN的用途,比方GaN材料功率半导体,以及利用新制程改进效率,例如利用氮化铟镓(InGaN)控制光线波段与发光方向,还有让平面结构的GaN发光晶体变成立体结构,增加表面积与发光效率。
 
天野浩及研究团队在2016年5月17~20日的国际会议,带来节能社会的次世代半导体研发公开发表会上,便提出相关新技术的报告,比方让GaN晶体垂直排列,像插花用的剑山,让同样亮度的LED基板面积缩小为10分之1,以及利用类似构造制成的功率半导体等。
 
目前制成的剑山状GaN半导体,每根突出部分0.25微米,长度约20微米,现已可做到每根以1微米间隔排列,再以紫外线照射后可发出不同波长的紫外线,接下来的发展方向是研究不同的排列构造,以便控制光线发射方向与波段。
 
这些技术先前花了大概20年酝酿,名古屋大学GaN联盟原来的预定计划,把相关研究列为2030年以前的重心,不过GaN-OIL成立后,产总研提供1亿~10亿日圆之间(约94万~943万美元)预算,加上丰田方面未公布的捐赠经费,相关研究有可能提前到2020~2025年便上市。
 
天野浩在GaN-OIL成立记者会上便表示,希望这个机构能让大学单独研究到实用化的漫长时间,可以明显缩短。过去这些技术从大学研发后,还要耗费不少时间取得专利,再授权给新创企业或其他有意发展的企业,相当耗时。新成立的产官学合作单位,可望缩减相关法律程序耗时与资金取得难度,加速上市。 

关键字:GaN

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/article_2016072612148.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
GaN

小广播

大学堂最新课程更多

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved