为何7纳米成半导体发展的瓶颈?

2016-06-22 07:52:41来源: 元器件交易网 关键字:7纳米  半导体
    纳米制程节点将是半导体厂推进摩尔定律(Moore’s Law)的下一重要关卡。半导体进入7纳米节点后,前段与后段制程皆将面临更严峻的挑战,半导体厂已加紧研发新的元件设计构架,以及金属导线等材料,期兼顾尺寸、功耗及运算性能表现。
 
  台积电预告2017年第二季10纳米芯片将会量产,7纳米制程的量产时间点则将落在2018年上半。反观英特尔(Intel),其10纳米制程量产时间确定将延后到2017下半年。但英特尔高层强调,7纳米制程才是决胜关键,因为7纳米的制程技术与材料将会有重大改变。
 
  比较双方未来的制程蓝图时间表,台积电几乎确认将于10纳米制程节点时超越英特尔。但英特尔财务长Stacy Smith在2016年Morgan Stanley技术会议上强调,7奈米制程才是彼此决胜的关键点,并强调7奈米的制程技术与材料与过去相比,将会有重大突破。
 
  过去,在90纳米制程开发时,就有不少声音传出半导体制程发展将碰触到物理极限,难以继续发展下去,如今也已顺利地走到10奈米,更甚至到7或是5纳米制程节点,以过去的我们而言的确是难以想像。
 
  英特尔在技术会议上的这一番谈话,引起我们对未来科技无限想像的空间,到底英特尔将会引进什么样的革新技术?以及未来在制程发展上可能会遭遇到什么样的挑战?本文将会试着从半导体制程的前段(元件部分)、后段(金属导线)以及市场规模等因素来探讨先进制程未来可能面临的挑战,以及对应的解决办法。
 
  闸极设计走向全包覆结构
 
  半导体前段制程的挑战,不外乎是不断微缩闸极线宽,在固定的单位面积之下增加晶体管数目。不过,随着闸极线宽缩小,氧化层厚度跟着缩减,导致绝缘效果降低,使得漏电流成为令业界困扰不已的副作用。半导体制造业者在28奈米制程节点导入的高介电常数金属闸极(High-k Metal Gate,HKMG),即是利用高介电常数材料来增加电容值,以达到降低漏电流的目的。其关系函式如下:
 
  根据这样的理论,增加绝缘层的表面积亦是一种改善漏电流现象的方法。鳍式场效晶体管(Fin Field Effect Transistor,FinFET)即是藉由增加绝缘层的表面积来增加电容值,降低漏电流以达到降低功耗的目的,如图1所示。
 

关键字:7纳米  半导体

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/article_2016062212059.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:瞄准台积电InFO技术 明导以两大平台因应
下一篇:德州仪器入华三十载 植根中国从“芯”出发

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利
推荐阅读
全部
7纳米
半导体

小广播

独家专题更多

东芝在线展会——芯科技智社会创未来
东芝在线展会——芯科技智社会创未来
2017东芝PCIM在线展会
2017东芝PCIM在线展会
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved