将二极管边缘终端的长度缩短至1/5以下

2016-06-22 07:30:35来源: 技术在线
富士电机与香港科技大学组成的研究小组在“ISPSD 2016”上发布了可缩小二极管的边缘终端(Eedge Termination)区域的新技术。与以往设置保护环的边缘终端相比,该技术可使边缘终端的长度缩短至1/5以下。
 
随着二极管不断实现微细化,作为元件发挥作用的主动区域越来越小,边缘终端在二极管芯片中所占的比例则越来越大。尤其是输出电流较小的二极管,边缘终端所占的比例更大。在用于白色家电等的耐压600V的5A二极管中,边缘终端的长度约为350μm,在整个芯片面积中所占的比例达到了约55%。因此,该研究小组开始研究如何缩小边缘终端。
 
此次采用了在二极管表面挖掘沟槽,然后用“BCB(苯并环丁烯)”等填充沟槽的结构。在主动区域为0.55mm2(相当于2A)的情况下,采用该结构设置边缘终端,仅以35μm的长度就获得了755V的耐压特性。据介绍,这一数值还不到以往采用保护环方式的边缘终端的1/5。

关键字:二极管

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/article_2016062212057.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
二极管

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved