Globalfoundries正进行下一代FD-SOI制程开发

2016-05-27 08:49:13来源: Engadget
Globalfoundries技术长Gary Patton透露,其22FDX全空乏绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市,而目前该公司正在开发后续制程。
 
晶圆代工业者Globalfoundries技术长Gary Patton透露,其22FDX全空乏绝缘上覆矽(fully-depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市,而目前该公司正在开发后续制程。
 
Globalfoundries声称其针对不同应用最佳化的22FDX平台四种制程,能提供媲美FinFET技术的性能与省电效益,而成本则是与平面28奈米CMOS制程相当;其制程的反偏压(back-biasing)特性,能供从性能动态改变电晶体运作的机会,将泄漏电流最小化。
 
不过目前先进IC制程仍以FinFET技术为主流,该制程获IP供应商以及各大晶圆代工业者拥护,包括Globalfoundries自己;而三星(Samsung)的晶圆代工厂也有提供28奈米FD-SOI制程。

Patton在IBM担任研究人员多年,是在Globalfoundries收购IBM的半导体业务之后加入该公司;他在参加近日于布鲁塞尔举行的年度Imec科技论坛时,于场边接受EE Times欧洲版编辑访问表示:“我们认为FinFET与FD-SOI都很适合行动应用领域。”
 
根据Patton指出,其制程技术研发始于美国纽约州的Malta晶圆厂,并已经转移至德国的Dresden生产线;其良率达成已经比预计时间表提前,目前的焦点集中在建立设计IP库。
 
Globalfoundries正在与一家名为Invecas的IP供应商合作,为14奈米FinFET制程与22奈米FD-SOI制程开发基础IP;而Globalfoundries准备在2016年底为客户进行22FDX制程试产,量产时程则预计在2017年。
 
Patton认为,FinFET制程的高驱动电流特性非常适合在大型晶片驱动讯号线,因为这类晶片需求持续性能;不过对于较小型晶片以及对功耗较敏感的晶片,FD-SOI就是更好的选择。Patton也指出,FinFET有一种量化驱动机制(quantized drive regime),开发工程师必须选择1个、2个甚至更多的鳍(fin),但这并不适合类比或射频(RF)讯号。
 
虽然Globalfoundries力捧22FDX制程在物联网(IoT)应用类比与RF元件生产上的优势,Patton指出该制程也能因应数位IC需求:“有许多行动应用数位晶片都是采用65奈米与40奈米制程,比起将之转移至其他平面制程,例如FD-SOI,改用FinFET制程的成本很高。”
 
不过Globalfoundries 的FD-SOI制程──起源是IBM的研究案,后来由意法半导体(STMicroelectronics)以及现在的Globalfoundries与三星所拥护──有个艰苦的孕育期,在一开始与意法半导体签署技术授权协议后,又过了四年才于Dresden晶圆厂量产。
 
随着FD-SOI的潜在设计案有可能别抱16奈米或是10奈米FinFET制程,缺乏技术蓝图有可能会成为FD-SOI的劣势之一;当代IC设计牵涉大量的专有IP或是来自第三方合作供应商的IP,因此制程的延续性成为受关注的重点。
 
对此Patton表示:“我们下一代的全空乏制程已经在Malta进行开发,”但他并未确认是哪个制程节点;究竟目前最小的制程节点是多少仍有争议,例如台积电(TSMC)将推出的10奈米与7奈米制程,元件特征尺寸(feature sizes)分别是20奈米与14奈米,而以32奈米或36奈米的间距(pitch)进行生产。

关键字:Globalfoundries

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/article_2016052711989.html
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