氮化镓“钱”景可期 TI芯片样本抢先推出

2016-05-20 08:11:33来源: 新电子
看好氮化镓(GaN)成长商机,德州仪器(TI)积极布局,于近期推出一款功率可达600瓦的氮化镓(GaN)场效应电晶体(FET)功率级工程样本--LMG3410。与基于矽材料FET的解决方案相比,此一产品与该公司的类比和数位电力转换控制器相结合,能让设计人员开发出尺寸更小、效率及效能更高的设计,以满足隔离式高压工业、电信、企业级运算和再生能源的应用。

德州仪器Broad Market Power副总裁暨总经理Hagop Kozanian表示,伺服器/通讯之交流-直流(AC-DC)供应及机架式直流电源分配(Racl-mount DC Power Distribution)两大应用市场,将是驱使GaN FET成长的关键因素。其原因在于,采用矽制造的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET),造成的切换损耗较高,因此无法负荷较高的切换频率;但若采用GaN,因其本身特性可大幅减少生热,所造成的切换损耗也会较小。因此,随着伺服器中心/通讯电源设备建置日增,为减少功率损耗,将会有越来越多客户采用GaN FET,进而带动GaN FET成长。

据悉,新推出的LMG3410借助其整合式驱动器和零反向恢复电流等特性提供可靠的效能,特别是在硬开关(Hard-switching)应用中更是如此,能够大幅降低高达80%的开关损耗;而与独立的GaN FET不同,该产品针对温度、电流和欠压闭锁(UVLO)的故障保护整合了内建智能机制。

Kozanian进一步指出,LMG3410并非只是单纯的GaN FET,还结合该公司的GaN FET整合驱动器(Integrated Driver)。结合驱动器之后,该产品可实现保护作用,包括过电流(Over-current)或过热(Over-temperature)保护,同时更能减少电压应力和电磁干扰。此一作法目前于业界较为少见,大部分供应商都还是单独供应GaN FET解决方案,并未将驱动器整合起来。

另一方面,为了能够让设计人员于电源设计中利用GaN技术所具有的优势,TI还推出另一款新产品-- LMG5200POLEVM-10,以扩展其GaN生态系统。LMG5200POLEVM-10为48V至1V负载点(POL)的评估模组,将包括与80V LMG5200 GaN FET功率级配对使用的全新TPS53632G GaN FET控制器。这个解决方案可以在工业、电信和资料通信应用中实现高达92%的效率。

关键字:氮化镓  TI

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/article_2016052011965.html
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