三星半导体高层揭露晶圆代工技术蓝图

2016-04-28 10:44:48来源: EETTaiwan
  三星半导体(Samsung Semiconductor Inc.,SSI)的高层透露了该公司晶圆代工厂技术蓝图细节,包括将扩展其FD-SOI产能,以及提供现有FinFET制程的低成本替代方案。
 
  而其中最受瞩目的就是三星将开发低成本14纳米FinFET制程(14纳米LPC),该公司已经出货了超过50万片的14纳米制程晶圆,并将该制程的应用扩 展到网路/伺服器以及汽车等领域,但三星的晶圆代工业务行销资深总监Kelvin Low表示,他预期下一代应用将可扩展至需求较低成本的项目。
 
  “总是会有一些关于成本与性能权衡的疑虑,”Low接受EE Times美国版编辑访问时表示:“LPC与LPP (14纳米)有同样的PDK,而制程步骤已经减少…这让我们能达到较低的制造成本,而且我们决定将之与我们的客户分享。”
 
  三星也将在今年提供14 LPC的RF附加技术;Low并未说明那些制程步骤被减少,也未提及14纳米LPP (即Low-Power Plus,为三星第二代14纳米FinFET制程技术)与LPC之间的成本差异到底有多少,仅表示较低成本的制程技术选项将能在今年某个时间提供。
 
  Low 补充指出,三星将发表10纳米LPP制程技术,在性能上会比第一代的10纳米LPE (Low-Power Early)制程提升10%;而虽然三星的晶圆代工事业部门已经开始研发7纳米LPP节点,并号称在功耗、性能与面积(PPA)的微缩上具竞争力,但 Low表示在10纳米节点与7纳米节点之间会有一些模糊地带。
 
  “我们认为10纳米节点的寿命会比其他晶圆代工厂所声称的更长,而我们认为7纳米节点必须要以大量生产为目标进行定义与最佳化,不只是锁定高利润的产品;”Low表示:“EUV微影技术会是让7纳米节点技术达到可负担之成本的重要关键。”
 
  据了解,三星最近已经向一组客户简报其EUV技术现况,但细节不便对媒体透露;Low表示,该公司已经有一些样本产出,但还不到可以宣布7纳米制程EUV技术可行的地步。
 
  在 现有技术方面,三星正在提升8寸晶圆技术的产能,从180纳米到65纳米节点;8寸晶圆技术将涵盖嵌入式快闪记忆体(eFlash)、功率元件、影像感测 器,以及高电压制程的生产。“我们持续收到客户对8寸晶圆技术产能的需求,”Low表示:“我想目前在某些特定区域仍供不应求,而且相关需求越来越显 着。”
 
  三星也将在现有的28纳米FD-SOI基础上,于2017、2018年添加RF与嵌入式非挥发性记忆体(NVM)技术;该公司将更 聚焦于先进制程技术,而非出货量已经下滑的智慧型手机相关技术。Low表示:“重要的是有很多新应用出现,都是非常令人兴奋的东西;”他指出,如汽车应用 市场对该公司就是不少可期待的商机。
 
  为了克服先进制程节点的挑战,Low表示三星正积极与客户进行更深一层、更早期的合作;该公司也会对客户开放其设计流程以及设计方法,以加速产品设计时程。

关键字:三星  代工

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/article_2016042811911.html
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