美国实验室研发出GaN CMOS场效应晶体管

2016-02-22 10:14:33来源: 中国国防科技信息中心
由美国波音公司和通用汽车公司拥有的研发实验室-HRL实验室已经宣布其实现互补金属氧化物半导体CMOS)FET技术的首次展示。该研究结果发表于2016年1月6日的inieee电子器件快报上。

在此过程中,该实验室已经确定半导体的卓越晶体管性能可以在集成电路中加以利用。这一突破为氮化镓成为目前以硅为原材料的电源转换电路的备选技术铺平了道路。

氮化镓晶体管在电源开关和微波/毫米波应用中有出色的表现,但该潜力还未用于集成功率转换。“除非快速切换GaN功率晶体管在电源电路中故意放缓,否则芯片到芯片的寄生电感导致电压不稳定。”HRL资深研究工程师、首席研究员楚榕明称。

楚和他在HRL微电子实验室的同事们克服了这一限制,开发出GaN CMOS技术,可在同一硅片上集成增强型GaN NMOS和PMOS。楚表示,将电源开关及驱动电路集成在同一芯片上,是减少寄生电感的最终方法。

目前,氮化镓晶体管被设计成雷达系统、蜂窝基站、计算机笔记本电源适配器的电源转换器。“在短期内,CMOS IC可应用于功率集成电路,能够采用更小的外形尺寸,更低的成本实现更高效的电力管理,并能在恶劣的环境下工作。”楚说。“从长远来看,CMOS具有广泛替换硅CMOS产品的潜力。”

楚总结道,“由于在制造P沟道晶体管和积分的N沟道晶体管的挑战,氮化镓CMOS集成电路曾被认为是困难或不可能的。但我们最近的工作开辟了制备氮化镓CMOS集成电路的可能性。”。

关键字:GaN  CMOS

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/article_2016022211726.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
GaN
CMOS

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved