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Attopsemi董事长Shine Chung:面向FD-SOI的I-Fuse

2018-09-28来源: EEWORLD 关键字:Attopsemi  FD-SOI

2018年9月18日,一年一度的上海FD-SOI论坛在上海准时举行,本次大会由SOI产业联盟、芯原控股有限公司、上海新傲科技股份有限公司、中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合主办。

Attopsemi董事长Shine Chung介绍了面向FD-SOI的I-Fuse技术,可以实现超高的可靠性和超低功耗的OTP。



Attopsemi董事长Shine Chung


众所周知,OTP(One Time Programmable)是单片机的一种存储器类型,意思是一次性可编程:程序烧入单片机后,将不可再次更改和清除。

随着嵌入式应用的越来越广泛,产品的安全也显得越来越重要。一方面是为了保护硬件设计,另外一方面也是为了产品本身的安全,防止被HACKED.

“每个芯片都需要OTP,如果他是可负担的并且是可靠的。”Shine Chung说道。

目前OTP均采用NVM(非易失存储器),利用包括Break fuse,Rupture oxide或者trap charges技术改变浮栅,但其可靠性相比较逻辑器件低10倍到100倍。

目前,主要应用都是基于熔丝的OTP方案。



其中eFuse技术是最为常见的。

Attopsemi的I-Fuse技术相比较eFuse具有更可靠的物理特性,不需要更多工程学知识即可保证熔丝有效可靠,真正实现了0缺陷。同时操作电压更低,功耗更低,所以可有效避免热损耗。







I-Fuse的优势一览



Shine Chung强调,FD-SOI的特性可以和I-Fuse完美结合,Attopsemi先后推出了4K8 I-Fuse Array和Macro两款IP,基于22nm FD-SOI技术,相比竞争对手的性能提高了7倍左右。

目前已有多家客户采用了Attopsemi的IP。

Shine Chung表示,对于10nm和7nm以下工艺,MOS电压不能无限缩小,因此不能使用反熔丝技术,而FD-SOI技术具有更低击穿电压,因此可以继续使用反熔丝技术。


关键字:Attopsemi  FD-SOI

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2018/ic-news092826999.html
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