三星、SK海力士2016年半导体投资前景仍未明

2015-11-13 09:29:27来源: DIGITIMES
三星电子(Samsung Electromics)和SK海力士(SK Hynix) 2016年的投资计划不明朗,全球景气停滞、汇率动向难以掌握、智能型手机成长趋缓等对外环境恶劣为主因,韩国半导体设备业界的不安持续扩大。

同时,新设备需要依据尖端制程制造,因技术难度高、开发时间较长,使三星和SK海力士难以确定投资时程。据ET News报导,三星和SK海力士在公布第3季财报时,未明确提及2016年度的投资计划。第4季投入拟定2016年的事业计划,设备投资动态不透明,让韩国设备业者焦躁不安。

三星和SK海力士推测2016年存储器芯片需求将和2015年水准相近。20纳米DRAM制程转换和3D NAND Flash的堆叠技术,将使企业间成本竞争力产生差距,影响市占率和业绩。

三星第3季累计投资19.2兆韩元(约169亿美元),年度设备投资计划已执行72%。市场上3D NAND和DRAM供不应求,将进行扩产,但2016年可能会维持目前设备水准。

三星存储器行销组专务白志镐(音译)表示,目前NAND Flash生产设备和17产线20纳米DRAM均为全稼动状态,若维持目前设备全稼动水准,2016年不只可达成位元成长目标,甚至可望超越。惟目前不考虑追加设备,将依照市况决定。

SK海力士M14厂1楼将使用的设备已大部分搬入,暂时没有大规模DRAM设备投资计划。年底前将完成验证M14厂20纳米级DRAM的生产效益,预计2016年起量产的第三代48层堆叠3D NAND,将左右未来设备投资计划。

SK海力士经营支援部社长金俊镐表示,初期将把现有NAND设备转换为3D NAND用,并迅速确保产量。市场上48层3D NAND需求提升,若判断有必要扩产,将会考虑把M14 2楼架构为3D NAND产线的方案。

3D NAND成为2016年设备投资的重心,但整体投资规模将不会超过2015年。2015年DRAM维持每月27万片,2016年估计每月提高到27万~28万片水准,但会扩大DDR4和LPDDR4比重,并转换20纳米出头制程。

SK海力士截至第3季,设备投资累计已执行5.3兆韩元,年底前将依照原计划,完成6兆韩元以上投资。

关键字:三星  半导体

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2015/1113/article_11485.html
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