新一代功率半导体氧化镓,开始提供外延晶圆

2015-10-28 09:32:51来源: 技术在线
日本风险企业Novel Crystal Technology公司(总部:埼玉县狭山市)将于2015年10月开始销售新一代功率半导体材料之一——氧化镓的外延晶圆(β型Ga2O3)。这款晶圆是日本信息通信研究机构(NICT)、日本东京农工大学和田村制作所等共同研究的成果。Novel Crystal Technology公司是从田村制作所分离出来的风险企业,定位于“NICT技术转移企业”。该公司的目标是2016年度实现销售额6000万日元,2020年度实现销售额7亿日元,2025年度实现销售额80亿日元。

与作为新一代功率半导体材料推进开发的SiC(碳化硅)及GaN(氮化镓)相比,氧化镓可以低成本制造高耐压、低损耗的功率半导体元件(以下简称功率元件),因此颇受关注。

功率器件用的外延晶圆需要具备两个条件,一是外延层表面的平坦性,二是控制低载流子浓度区域的浓度。此次采用了使用臭氧的“臭氧MBE法”成膜法。优化了结晶面的方位、掺杂剂的种类、生长温度、原料供应量等生长参数。能够实现1nm以下的表面粗糙度,并可获得1016/cm3载流子浓度区域。现已确认利用此次的外延晶圆,可以制造肖特基二极管(SBD)和晶体管。

关键字:半导体  氧化镓

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2015/1028/article_11447.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
半导体
氧化镓

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved