氮化镓元件将扩展功率半导体应用市场

2015-09-14 11:43:08来源: eet
  根据Yole Developpement指出,氮化镓(GaN)元件即将在功率半导体市场快速发展,从而使专业的半导体业者受惠;另一方面,他们也将会发现逐渐面临来 自英飞凌(Infineon)/国际整流器(International Rectifier;IR)等大型厂商的竞争或并购压力。

 Yole估计,2015年GaN在功率半导体应用的全球市场规模约为1千万美元。但从2016-2020年之间,这一市场将以93%的年复合成长率(CAGR)成长,预计在2020年时可望达到3千万美元的产值。
 
  目前销售GaN功率元件的主要半导体业者包括英飞凌/IR、宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion;EPC)、GaN Systems与Transphorm等公司。
 
各大功率半导体业者的不同GaN功率电晶体专利
(来源:Yole)
 
   然而,这一市场也存在整并压力,这一点从英飞凌收购IR、英飞凌与松下(Panasonic)之间以及Transphorm与Furukawa之间的授权协 议,以及Transphorm与富士通(Fujitsu)之间的制造合作即可看出端倪。Furukawa Electric
 
   根据与 Yole共同分析GaN功率半导体市场的KnowMade公司执行长Nicolas Baron表示,英飞凌/IR拥有最佳的GaN功率专利组合,而其最大的竞争对手则是Transphorm。然而,这个IP的主导地位可能会有变化,因为 像Transphorm、富士通与三菱电机(Mitsubishi Electric)等新加入市场的后进者,也可能成为主要的力量,从而改写市场样貌。Furukawa Electric藉着将其GaN专利产品组合独家授权给Transphorm,也拥有了得以为其将技术导入市场的策略合作夥伴。
 

关键字:氮化镓  功率半导体

编辑:chenyy 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2015/0914/article_11351.html
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