哪些半导体公司会成为22nm FD-SOI的尝鲜者?

2015-08-19 09:42:48来源: 华强电子网
GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工艺平台,成为全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅),专为超低功耗芯片打造。

FD- SOI 技术仍然采用平面型晶体管,目前并不为业内看好,因为无论Intel 还是三星、台积电,22n 时代起就纷纷转入了立体晶体管,也就是FinFET。GlobalFoundries 技术实力欠佳,自己搞不出足够好的立体晶体管技术,22nm 上只能继续改进平面型,20nm 上努力了一阵放弃,14nm 索性直接借用三星的。 尽管如此,GF 22nm FD-SOI 工艺也是有一些独特优势的,虽然无法制造高性能芯片,但也很适合移动计算、IoT 物联网射频联网、网络基础架构等领域。

GlobalFoundries 宣称,该工艺功耗比28nm HKMG 降低了70%,芯片面积比28nm Bulk缩小了20%,光刻层比FinFET 工艺减少接近50%,芯片成本比16/14nm 低了20%,而且功耗超低,电压可以做到业界最低的0.4V, 并可通过软件控制晶体管电压,还集成了RF射频,功耗降低最多50%。甚至,它可以提供类似FinFET 工艺的性能。哪些半导体公司会成为22nm FD-SOI 的尝鲜者呢?

GF 22nm FD-SOI 工艺将于2016 年下半年在德国德累斯顿工厂投产,为此已投资2.5 亿美元。ARM、Imagination、意法半导体、飞思卡、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec 等都表达了支持,将会采纳。

意法半导体CEO Jean-Marc Chery 表示:GLOBALFOUNDRIES 的FDX 平台,使用的先进FD-SOI 晶体管结构是我们长期的合作研究而来的,能满足IoT 对always-on 和低功耗的需求,以及其它功耗敏感的设备的需求。

飞思卡尔的MCU group VP Ron Martino 表示:飞思卡尔的下一代i.MX系列应用程序处理器利用FD-SOI 工艺实现低功耗。GLOBALFOUNDRIES 22FDX平台将FD-SOI 扩展到28nm 以下,对成本和功耗都带来显著优化。

ARM 物理设计部总经理Will Abbey 表示: 我们正在与LOBALFOUNDRIES 密切合作,提供客户所需的IP 生态系统,帮助他们从22FDX技术中获益。

VeriSilicon 总裁兼首席执行官戴伟民表示:VeriSilicon 已经拥有利用FD-SOI 技术实现IoTSoC 的经验,我们已经通过FD-SOI 实现超低功耗的应用。我们期待与GLOBALFOUNDRIES 在22FDX 继续合作。

Imagination Technologies 营销副总裁Tony King-Smith 指出:GLOBALFOUNDRIES 的22FDX与Imagination 的广泛IP 组合结合后会赋予我们共同的客户更多创新设计,这些IP包括PowerVR 多媒、MIPSCPU 和Ensigma 通信。

IBS 公司创始人兼首席执行官Handel Jones 表示,FD-SOI 技术可以提供一个多节点、低成本方案,GLOBALFOUNDRIES 的22FDX在一个低成本平台上实现了FD-SOI 技术的最低功耗。

CEA-Leti 公司首席执行官Marie-Noelle Semeria 表示,只需要对现有设计和制造方法进行微小调整,FD-SOI 就能显著改善性能和功耗。我们可以共同为相关技术提供易用的设计和制造技术。

“Soitec 首席执行官Paul Boudre 表示,对下一代的低功耗电子产品来说,这是一个关键的里程碑。作为GLOBALFOUNDRIES 的战略合作伙伴,我们的超薄SOI 衬底已经准备好应对22FDX技术量产。

关键字:半导体  FD-SOI

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2015/0819/article_11295.html
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