三星偷吃步?传拟强化14纳米、制类似10纳米芯片

2015-07-30 09:58:45来源: 精实新闻
三星电子和台积电(2330)的晶圆代工大战日益白热化,韩媒称,三星似乎打算强化当前的14纳米制程,生产出类似10纳米制程的产品。业界人士表示,三星这么做有风险,开发进度或许会落后台积电。

韩媒etnews 29日报导,三星近来开始强化14纳米制程;业界认为强化版的14纳米芯片,功能可能会与10纳米相近。据传台积电的16纳米FinFET Plus制程,效能接近三星的14纳米,因此要是三星完成制程强化,或许能让芯片功能再上一层楼。与此同时,三星也积极发展10纳米FinFET制程,预计明年底量产;该公司向旗下各部门喊话,要求研发新产品时,使用10纳米制程芯片。

据了解,三星若采取此一策略,可以同时经营10纳米和14纳米产线,不需要砸下重金,把当前的14纳米全部转换成10纳米。因为10纳米的投资报酬率不高,不足以吸引三星把14纳米全转为10纳米。南韩业界人士对此表示忧心,指出要是台积电成功量产10纳米,就算三星用14纳米产线,生产出类似10纳米的产品;表面看来,三星开发进度仍然落后台积电。因此就算没有足够时间回收14纳米投资,也不该延后10纳米量产计划。

Androidheadlines.com、Fudzilla 22日报导,三星晶圆代工事业部(Samsung Foundry)发言人Kelvin Low 21日宣布,三星已在6月份正式将10纳米FinFET制程纳入开发蓝图,预计明(2016)年底就能进入量产的阶段。他指出,对行动、消费与网路产品的芯片设计商而言,10纳米FinFET能显著提升芯片的运算效能与省电表现。

三星、台积电相互较劲的意味相当浓厚。台积电甫于5月21日发布新闻稿宣布,位于中科的台积晶圆十五厂新建厂区,将用于10纳米技术的量产,预计在明年中开始安装机台,并于后年生产。

关键字:三星

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2015/0730/article_11253.html
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