晶圆代工大厂联电公布14纳米FinFET制程最新进展

2015-06-30 10:31:03来源: 互联网
晶圆代工大厂联电(UMC)日前宣布,与 ARM合作、基于联电14奈米FinFET制程生产的PQV测试晶片已经投片(tape out),代表ARM Cortex-A系列处理器核心通过联电高阶晶圆制程验证;同时联电也宣布与新思科技(Synopsys) 拓展合作关系,于联电14奈米第二个PQV测试晶片上纳入新思DesignWare嵌入式记忆体IP与DesignWare STAR记忆体系统测试与修复解决方案。

与ARM的14奈米合作案延续自双方成功将ARM Artisan 实体 IP整合至联电28奈米高介电金属闸极(High K/Metal gate)量产制程。而联电14奈米FinFET制程技术验证,是联电FinFET制程启动其他IP生态系统的第一步,包括基础IP 矽智财(foundation IP)和ARM处理器实体设计。

ARM实体IP设计事业部总经理Will Abbey表示:“ARM和联电已在数个技术世代上持续合作,且成果卓越。采用联电14奈米FinFET制程的Cortex-A系列核心测试晶片正式设计定案,对我们来说十分振奋。ARM与联电将针对此高阶制程技术的研发持续保持紧密合作。”

此外联电与新思合作开发的第二个14奈米PQV,提供了更多矽资料,可让联电进一步微调其14奈米FinFET制程以实现最佳化的功耗,效能与位面积表现。双方已成功设计定案了第一个联电14奈米FinFET制程PQV,包含了新思科技DesignWare逻辑库与StarRC寄生电路抽取工具(parasitic extraction tool),而此次PQV则继续拓展夥伴关系。

新思科技IP暨原型建造行销副总裁John Koeter指出:“新思科技与联电扩展的合作关系展现了双方共同的目标,也就是协助晶片设计公司在联电制程上,将我们的DesignWare矽智财结合到其系统单晶片设计上。现已有超过45颗FinFET测试晶片设计定案(tapeout),新思科技将持续倾全力致力于为FinFET制程提供高品质矽智财,使晶片设计公司能够降低整合风险,并加速量产时程。”

联电表示,该公司14奈米FinFET制程已经展现卓越的128mb SRAM产品良率,并预计于2015年底接受客户投片。
 

关键字:联电  FinFET

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2015/0630/article_11177.html
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