电装开发出超200A级SiC晶体管,仅8mm见方

2015-05-22 08:24:21来源: 技术在线
电装开发出了SiC晶体管新产品,以8mm见方的芯片尺寸实现了超过200A水平的电流容量。该公司在“人与车科技展2015”(5月20~22日于太平洋横滨国际会展中心举行)上,展出了集成该晶体管的直径6英寸(150mm)的晶圆。该晶体管的耐压为1200V,导通电阻值为3.5mΩcm2,目标是取代车载用Si-IGBT。

超过200A级别的Si-IGBT的芯片面积一般要超过10mm见方。电装称,新开发的这款SiC晶体管的目标是凭借芯片尺寸赢得优势。该产品通过采用沟道型MOSFET,实现了低导通电阻(参阅本站报道)。利用的SiC晶圆是电装自己生产的,晶体缺陷减少到了其他公司晶圆的1/10。电装表示,在SiC功率半导体方面,“关键技术的开发将在2015年度完成,然后过渡至产品开发阶段”。

关键字:电装  SiC晶体管

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2015/0522/article_11076.html
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