三星总裁:直到5nm工艺,那都不是事

2015-02-27 08:47:20来源: 集围网
    在ISSCC(International Solid State Circuit Conference)国际固态电路会议上,三星的举动令业界感到惊讶,全球首次展示了 10nm FinFET半导体制程。当时业内人士纷纷表示,三星有望抢在英特尔之前造出全球第一款 10nm 工艺用于移动平台的处理器。
 
    实际上,作为韩国高科技巨头,三星在半导体制造方面已经非常超前,目前仅有三星一家可以正式大规模量产 14nm  FinFET 工艺的移动设备芯片,而此前在工艺方面极有优势的英特尔却一推再推。虽然在芯片领域,三星在业务方面尚未上升到高通或者英特尔的高度,但三星的芯片发展可 谓神速,迎来的是对统治级竞争对手的直接挑战。
 
    不过,如果你认为三星首秀 10 nm FinFET工艺制程已经够惊艳全场的话,那么三星在 ISSCC 会议上的主题演讲可能更令人意外。
 
    据三星的发言,该公司还将继续推进至5 nm工艺制程,因为他们认为“根本没有困难”,而且进一步微细化也有可能很快实现。
 
    该韩国巨头甚至表示,他们已经确认开始3.2 nm FinFET 工艺的工作,通过所谓的 EUV 远紫外光刻技术和四次图形曝光技术和独家相关途径,可以实现工艺更细微化。基本上三星的演讲内容非常令人费解,完全没有真正表述究竟使用何种新材料制造这 些更小纳米工艺的芯片。英特尔已经表示 10nm 之后的半导体制造会更复杂,再发展下去硅原子的物理极限很难突破,不排除三星的新材料解决方案是砷化銦鎵(Indium Gallium Arsenide,InGaAs)。
 
    让我们回到 10nm工艺,三星称下一代芯片尺寸将更微小,功耗更低。未来此工艺也将运用到 DRAM 和 3D V-NAND 芯片上,三星不会放弃任何在移动领域做储存霸主的机会。三星表示,在 2016 或 2017 年之前暂时不会有 10nm 工艺。也就是说,首款采用 14nm 芯片的智能手机 Galaxy S6,在先进工艺方面的优势可能会维持两年。
 
    当然,我们不排除下下一代旗舰智能手机,也就是 Galaxy S7,三星又惊人的为其搭载 10nm 工艺的处理器。

关键字:5nm  10nm  ISSCC  三星

编辑:chenyy 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2015/0227/article_10828.html
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