甩开英特尔 台积明年Q1建10纳米试产线

2014-08-25 08:51:03来源: 经济日报

    业界传出,台积电除加速南科厂16纳米产能布建,也决定在明年第1季于中科建置10纳米试产线,透露台积电将以中科作为10纳米生产重镇,并加快试产脚步,拉开与英特尔、三星等劲敌的差距。

    台积电并未对相关传闻置评。设备商透露,受制于设备大厂艾斯摩尔(ASML)极紫外光(EUV)技术输出率仍未达量产需求,台积电10纳米仍会以浸润式机台进行多重曝光方式,作为显影核心设备,并集中于12寸晶圆厂生产。

    10纳米制程被台积电视为「最关键的一役」,台积电董事长张忠谋稍早透露,台积电短期恐在16纳米市占略为落后输竞争对手,不过,台积电有信心很快抢回市占率,并积极导入10纳米等更先进的制程,预定明年下半年完成产品设计定案。

    张忠谋当时说,台积电2013年开始进行10纳米技术开发,10纳米技术将是继16纳米FinFET(鳍式场效晶体管)及强效版制程16 FinFET+之后的第三代FinFET制程,效能与密度将是业界第一。

    台积电对内宣示,10纳米是「非赢不可的一战」,一定要做到比英特尔好,因此由张忠谋亲自督军,并号名近400 位研发人员成立「夜鹰计划」,让10纳米研发无缝接轨、缩短学习曲线。

关键字:英特尔  台积  10纳米

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2014/0825/article_10332.html
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