高通FinFET芯片订单擦身过台积电新制程陷激战

2014-07-10 08:41:47来源: DIGITIMES

    近期业界传出高通(Qualcomm)将首颗FinFET制程芯片订单下给三星电子,且为高通首度将新制程订单直接跳过台积电,震撼半导体业界,由于台积电与三星正展开16/14纳米制程激战,台积电最大客户高通新世代FinFET制程订单却下给三星,此举有别于过去芯片大厂考量技术及产能,新世代制程都会先在台积电投片,再转到其他晶圆代工厂生产的前例。

三星重押FinFET世代全力抢下高通订单

    半导体业者透露,三星为扶植旗下LSI部门,内部下达密令,一定要用尽所有代价绑住高通这位手机芯片大客户,甚至祭出几乎是没获利、全力技术/人力支持策略,以吸引高通在鳍式场效电晶体(Fin Field-Effect Transistor;FinFET)新制程能够从台积电转至三星下单。

    由于三星LSI部门表现不佳,6月初起负责记忆体事业群的金奇南亦兼任半导体和系统LSI事业部长,三星更决定将重押14纳米FinFET制程世代,甚至对外释出会将晶圆代工事业的重要性,摆在自家AP处理器事业之上的讯息,大力重振晶圆代工业务。

FinFET制程难度高 台积电胸有成竹

    半导体业者指出,从平面式电晶体跨到鳍式电晶体设计时,对半导体厂是一大考验,当初台积电没有选择跟随英特尔(Intel)14纳米制程设计,而是独创16纳米世代,就是为能快速进入FinFET制程世代,更加巩固晶圆代工龙头地位。

    由于16纳米制程的芯片大小(die size)天生就比14纳米大颗,台积电为求好心切,改版推出16纳米FinFET Plus制程,将die size缩小,更适合移动产品的轻薄短小特性,但仍是比三星14纳米芯片体积稍微大一些,这让部分客户存疑,不过,台积电内部仍十分有信心可用高良率优势提升产出,并降低生产成本。

    半导体业者认为,尽管高通采取多元晶圆代工厂策略,目前包括先进28纳米或是成熟制程,都广泛与台积电、三星、GlobalFoundries、联电、中芯国际等业者合作,然FinFET技术对于半导体产业发展极具重要性,高通在踏出第一步时选择携手三星,而非台积电,恐怕得面对不小风险。

Altera殷鉴不远 高通仍可能回头

    不过,未来高通是否会重演当初Altera转单英特尔、后来又回头找台积电代工的历史,仍有待观察,过去台积电大客户FPGA大厂Altera在每个制程世代,几乎都是采取单一晶圆代工厂策略,但在14纳米FinFET制程却放弃与台积电合作,而选择携手英特尔,让业界大震撼,然后来因英特尔14纳米制程良率不顺,Altera又传出回头找台积电合作。

    另外,不同于高通先进制程订单转至三星,其劲敌联发科对于台积电先进制程非常捧场,除了28纳米制程外,台积电2014年量产的20纳米制程,联发科亦已进行投单开案,至于台积电改版16纳米FinFET Plus新制程,联发科也开始进入试产,2015年将持续力战高通。 360°:FinFET制程

    20纳米是半导体平面式电晶体最后一代,台积电从16纳米制程开始,三星电子(Samsung Electronics)从14纳米制程开始,都将转到3D鳍式电晶体FinFET设计。除了台积电之外,包含三星、GlobalFoundries、联电、中芯国际,都在14纳米制程导入FinFET,因此台积电在16纳米制程导入FinFET,在晶圆代工产业可说是独树一格。

    3D FinFET制程世代是半导体产业重要一步,台积电和三星都计画于2015年进入量产,预计第3季开始可进入大量生产期。

    台积电和三星在16/14纳米制程上,也推出改良版本,强化既有制程技术版本效能。台积电推出16纳米FinFET Plus制程改良版本,诉求比第一版本更为省电和体积更小、效能更高。同时,三星14纳米FinFET第一版为14纳米LPE(Low Power Early),改良版本为14纳米LPP(Low Power Plus)。

关键字:高通  FinFET  芯片  台积电

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2014/0710/article_10217.html
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