PVD沉积系统实现高效益3D芯片垂直集成

2014-05-30 08:57:26来源: IC设计与制造

    全球领先的半导体、平板显示和太阳能光伏行业精密材料工程解决方案供应商应用材料公司今天宣布推出Endura? Ventura? PVD 系统。该系统沿袭了应用材料公司在业界领先的PVD技术,并融入了公司最新创新成果,能够完成连续薄的阻挡层和种子层的硅通孔(TSV)沉积,帮助客户以更低廉的成本制造出体积更小、功耗更低、性能更高的集成3D芯片。Ventura系统还与众不同地采用钛作为阻隔材料,从而在量产的情况下很好的实现降低成本的目的,展现了应用材料公司在精密材料工程领域的专业技术。Ventura系统的推出进一步完善了应用材料公司的硅片级封装(WLP)设备产品线,适用于硅通孔、再分布层(RDL)和凸点等各类应用。

    TSV是垂直制造体积更小、功耗更低的移动和高带宽器件中的关键技术。通孔是垂直穿过硅片的短互联通道,可将器件的有源侧连接到硅片的背面,是多个芯片间连接的最短互连路径。集成3D堆叠器件需要将10:1以上深宽比的TSV进行铜互连。利用创新的材料和先进的沉积技术,全新的Ventura设备可有效解决这一问题,从而较先前的行业解决方案能更显著的降低TSV制造成本。

    应用材料公司副总裁兼金属沉积产品事业部总经理 Sundar Ramamurthy博士介绍道:“凭借应用材料公司在铜互连技术领域超过15年的领导经验,Ventura 系统能生产出可靠的高深宽比硅通孔,与铜互连PVD系统相比,可使阻挡层和种子层成本降低多达50%。这些创新成果可以帮助我们更显著的提高产品性能和功能,实现功耗更低、更紧凑的芯片封装,从而进一步满足最尖端的技术需求。该款全新的PVD系统已获得客户认可,并将逐步用于大规模生产中。”

    Ventura系统采用更先进的离子化PVD技术,进一步提高阻挡层和种子层的完整性,这对芯片的孔隙填充和互连尤为重要,从而能够有效提高3D芯片的良率。此外,这些技术上的新突破能够显著改善离子的方向性,可在硅通孔中完成均匀连续的薄的金属层沉积,从而实现TSV所需的无空隙填充。由于方向性的改善,沉积速率得以大幅提高,阻挡层材料和种子层材料的用量显著减少。此外,Ventura系统采用钛作为阻挡层材料,以期提高设备稳定性,降低TSV金属化过程中的整体持有成本。

关键字:PVD  PVD沉积系统  3D芯片

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2014/0530/article_10131.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
PVD
PVD沉积系统
3D芯片

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved