ARM与台积电完成16nm FinFET测试

2014-02-25 08:58:20来源: cnbeta

    对于英特尔来说,要想在移动芯片市场多分得一杯羹,就需要借助其更加先进的制造能力的优势。而今日宣布的新款Atom SoCs——举例来说——即基于22nm的3D或“三极晶体管”工艺。与传统的(基于平面晶体管结构的)芯片相比,新架构使得芯片可以在较低的电压水平上,更有效率地运作——在降低能耗的同时,更能延长系统的续航时间。

    至于半导体行业中的其它公司,已经在向3D晶体管工艺(更常用的称呼为“FinFETs”)迁移的过程中,落后于英特尔。

    如果没有这种新的结构,那么向28nm以下制程迁移的过程就会变缓。其中一部分原因为,随着平面型晶体管(planar transistor)变得更小,其能源效率和成本就变得不那么有吸引力。

    幸运的是,貌似领先的芯片代工厂——台积电(TSMC)——已经在部署16nm FinFETs的工艺上,取得了不错的进展。

    今天,TSMC与ARM披露了两家公司已经在去年年底进行了一个相当复杂的测试芯片,并且是基于台积电的16nm FinFET工艺打造的!

    该芯片包括了双核Cortex-A57和四核Cortex-A53 CPU核心——基于相似的big.LITTLE不对称方案——主要面向消费级SoC。这一发展也将助力ARM和TSMC开辟出SoC设计的新道路。

    ARM的公告称,TSMC的16nm FinFET工艺,有着激动人心的好处:“在相同的总能耗下,芯片设计的速度可以快上>40%,或者比28nm制程节省>55%的总能耗”。

    这一公告与英特尔的“22nm三栅极制程比之32nm工艺的优势”如出一辙。台积电预计,在2014年的时候,采用其16nm FinFET工艺的客户将有望超过20家。

关键字:ARM  台积电  16nm  FinFET

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2014/0225/article_9824.html
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