高通与CEA-Leti达成3D集成工艺合作协议

2013-12-09 10:23:17来源: EEWORLD

高通与法国一研究机构CEA-Leti达成合作,高通将利用Leti的技术开展3D集成芯片设计。

近年来,Leti一直致力于新的3D集成工艺技术研发,不过该有源层堆叠技术并不是三星、意法及TSMC所采用的TSV(过孔工艺)。

据Leti研究人员描述,该技术可以比传统平面工艺减少50%的面积,以及增加30%的运算速度。重要的是该技术可以采用标准的光刻工艺,因此可以节约新的设备购置费。

Leti和高通未来将合作评估该项技术。

关键字:高通  达成  集成  工艺

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2013/1209/article_9689.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
高通
达成
集成
工艺

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved