Intel代工策略:提升开工率为14纳米抢时间

2013-11-28 10:05:57来源: 第一财经日报

  如果不采取开放策略,英特尔恐将因为开工率过低导致的闲置资源过多而产生费用率的激增。这将不利于英特尔将大笔资金用于移动领域的开发和投入。

  英特尔开放芯片代工,或是为缓解因PC下滑导致的工厂开工率大降,抑或是通过开放代工与ARM厂商进行战略合作的敲门砖。

  近日,英特尔新任CEO科再奇在英特尔投资者大会上表示,英特尔的芯片代工厂将面向所有芯片企业开放。这被业界视为英特尔转型的一个重要标志。

  一直以来,英特尔在半导体制程工艺上都具有较大优势。这也为英特尔在PC市场与AMD的竞争中带来基础。但随着全球PC市场的下滑,英特尔在产能上出现过剩,工厂开工率仅为60%。此外,英特尔在移动领域面临的艰难处境,也需要英特尔去重新分配精力。

  事实上,早在今年2月,英特尔就已宣布将利用推出的14纳米3D晶体管技术为芯片厂商Altera代工可编程芯片。而这也被认为是英特尔在日后进行全面代工的一次试水。

  今年7月,科再奇表示,英特尔过去一贯用最先进的技术和生产线生产桌面级芯片,用较老的生产线生产Atom产品;但现在,英特尔将把更多的技术实力和资源优先放在Atom移动芯片的生产上。

  但在新兴领域的大胆投入就意味着要有后方的利润保障作为支撑。或许,全面开放代工厂商,积极利用闲置资源,也反映了英特尔在移动大胆投入上的营收顾虑。

  而英特尔是否会通过为ARM厂商提供代工合作,实现自己在移动上更为远大的战略图谋,也依然值得期待。

  工厂开工率仅为60%

  财报显示,英特尔2013财年前6个月,净利润为40.45亿美元,低于去年同期的55.65亿美元;营收为254亿美元,低于去年同期的 264亿美元。

  英特尔收入和利润的下滑主要来自于PC业务的负面影响。数据显示,今年第三季度全球个人电脑销量下降8%,而英特尔有20%的销售额来自于服务器电脑芯片。

  销售量的下滑也导致英特尔工厂开工率的下降。市场研究公司Tirias Research分析师吉姆·麦克格雷格表示,英特尔的工厂开工率下降至约60%,远低于正常水平。

  英特尔面临的问题是,工厂和生产线的低利用率将耗费英特尔的大笔资金。

  为了解决工厂开工率低的问题,英特尔已采取了关闭部分工厂的决议。今年9月,英特尔宣布,将关闭位于马萨诸塞州的一家芯片制造工厂,而此举将导致约700名英特尔员工面临失业。

  除了关闭工厂外,英特尔从今年2月起也已着重考虑面向其他芯片厂商提供代工业务,这也被视为原英特尔元老级CEO欧德宁自去年年底提出辞职以来的首个大胆计划。

  一方面是,提供代工业务,意味着英特尔在芯片工艺和产能上的优势将在竞争对手面前摊薄。而这也是英特尔起先仅与部分芯片厂商合作的原因。

  但另一方面,如果不采取开放策略,英特尔恐将因为开工率过低导致的闲置资源过多而产生费用率的激增。这将不利于英特尔将大笔资金用于移动领域的开发和投入。

  而对于英特尔之外的芯片厂商,尤其是ARM阵营的芯片厂商来说,自去年以来,由于智能手机市场需求增长过快而导致的产能不足现象较为严重。联发科、高通等厂商就曾出现过多起产能供给不足的事件。

  有产业分析人士指出,英特尔面向ARM厂商开放,除营收增长的因素外,也将能吸引更多诸如苹果公司等客户。此外,英特尔的芯片制作能力和工厂规模使得其成本要远低于其竞争者台积电和三星。

  但美林银行分析人士指出,短期内,英特尔在晶圆代工领域的客户还较为薄弱。

  科再奇的移动谋略

  iSuppli高级分析师顾文军认为,英特尔面向ARM厂商开放工厂,或许有更多出于移动战略层面的考虑。

  有分析认为,英特尔在14纳米的制造工艺将能让其领先于竞争对手,这是高通、联发科等暂时无法达到的技术层面。但在14纳米技术尚未成熟推向市场前,英特尔需要为眼前战术考虑以缩短竞争时间差。

  而通过与ARM芯片厂商的代工合作,英特尔或将在移动芯片设计上从合作者中掌握一些Know-how细节。这些都能够为英特尔在未来迎来14纳米的竞争中赢取时间。

  除此之外,科再奇还鼓励硬件厂商在明年推出可同时运行Windows和Android或Chrome系统的电脑,并与英特尔合作。这也被视为科再奇时代英特尔的大胆之处。

  在短期之内,英特尔的代工策略,至少拥有搅乱芯片市场价格的能力。有分析认为,在价格合理的情况下,英特尔很有可能拿到与苹果A7、高通、英伟达合作的合同,而这也必将引起芯片市场的价格下降。

  另一个引人关注的问题是,英特尔是否准备好像其老对手AMD一样,向ARM支付许可费用,以实现更多芯片设计的可能?

关键字:Intel  14纳米

编辑:冯超 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2013/1128/article_9648.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
Intel
14纳米

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved