专家聚首谈FinFET趋势下3D工艺升级挑战

2013-09-11 09:23:36来源: EEWORLD

日前,SeMind举办了圆桌论坛,邀请半导体设计与制造的专家齐聚一堂,共同探讨未来晶体管、工艺和制造方面的挑战,专家包括GLOBALFOUNDRIES的高级技术架构副总裁Kengeri SUBRAMANI ,Soitec公司首席技术官Carlos Mazure,Intermolecular半导体事业部高级副总裁兼总经理Raj Jammy以及Lam公司副总裁Girish Dixit。

SMD :从你们的角度来看,工艺升级短期内的挑战是什么?

Kengeri :眼下,我们正在谈论的28nm到20nm转移。如果你回去看历史,每一代产品过渡都会有挑战。当我在ASMC上做主题演讲时,我曾问与会者,技术挑战和经济成本的挑战,哪一个是当今最大的威胁?大家纷纷表示每个节点的过渡最大的问题其实还是经济因素。眼下,这种过渡包括四个方面:电气性能缩放、物理尺寸缩放、成本缩放以及可靠性。我们知道目前除了英特尔,其他家的20nm仍采用平面工艺,这就要求我们利用双重光刻技术,因此尽管尺寸缩放了,但成本并不一定缩放,因此所有这一切因素需要权衡与组合。我们可能在20nm只采取单一平台,以实现不同的应用。另外一点就是附属开发的准备,包括EDA、也包括整个生态系统,也许你的技术实现了,但缺乏相对应的设备以及设计软件,同样是会失败的。

Dixit:从设备商的角度来看,越来越多的客户需要定制化,这次是非常具体的集合形状和类型的布局,如果你看10年前,可能有一两个不同标准,但现在,至少有10种以上测试标准,这本身就说明每个客户都在关注不同的性能指标。一个东西可能用在这地合适,但其他应用则不一定合适。

SMD :说到3D ,从平面晶体管到FinFET的挑战是什么?

Jammy:正如刚刚所说,我们绝大部分公司都在16nm或14nm制程上才考虑FinFET,我们目前确实有很多工具都是面向平面世界的,因此Metrology等是不一样的,此外我们需要提供3D架构下的EDA工具。

Kengeri :FinFET是具有挑战性的,但我并不认为这是个不可逾越的鸿沟,比如当时的HKMG问题也得到了解决,而现在双重光刻是个难题,此外还有包括Metrology等其他挑战,另外AC-DC、缺陷密度一及良率等,不过我们早已提前进行研发布局,所以,我认为目前FinFET的量产没有任何无法解决的问题。

SMD :对于起初的FinFET元件,为何GlobalFoundries要结合14nm FinFET与20nm-LPM的技术?

Kengeri :FinFET是一项新的且有风险的技术,但这并不意味着我们就要去冒险,因此我们需要在现有平台上开发,双光刻技术在20nm时的投入是巨大的,因此我们从平面成熟做起,可以将风险降到最低。

SMD : FD-SOI始于28nm,并且还可以扩展三代产品,你们是如何看的?

Mazure:从器件角度来说, FinFET与SOI在未来是可以共存的,并没有取代这么一说,今天随着意法半导体以及GlobalFoundrie在FDSOI上的准备已就绪。

Kengeri :所以我们为客户提供FinFET与FDSOI两种制程,无论客户想继续平面工艺还是进入3D,两者都有自己的独特优势,应该由客户自己选择。

SMD:让我们探讨下7nm和5nm节点,未来被称为高迁移率的FinFET的挑战是什么?

Jammy:工艺永远是变化的,但好在我们知道如何应对变化,其中最主要的是确保我们所走的路线是正确的。现在,我们有将近61种周期表元素进入到芯片设计上,我们未来也许利用锗制作PFET或者三五族化合物制作NFET器件。但潜在的问题是,如何确保低的漏电,如何确保结晶质量,如何获得正确的工具,如何控制污染,控制外延质量等等。所有这些问题基本都是制造问题。另外一点,如果你一旦移动到锗元素上,极堆叠、闸极堆叠以及刻蚀等都会成为问题。我们要像剥洋葱一样将所有问题层层剥离,其中大部分并不是无法解决的问题,更多是工程上的挑战。

Kengeri:我们现在已经进入到3D FinFET中,未来我们可不可以做更大的鳍,可不可以有新的材料做前端,但实际上,只有前端是不够的,我们仍要考虑后端缩放,实际上相对于前端,源漏的缩放进程已经放缓了,但我们还是去寻找更新的材料,或者利用空气间隙。

Mazure:锗或者三五族元素都有可能称为FinFET的重要材料,未来我们一定要实现450mm晶圆,而据我所致,现在没有办法在450mm晶圆上批量生长锗,因此外延技术还需要进一步升级。

SMD :对于未来内存市场,您有何感觉?

Jammy:内存市场上3D已经发生了,我们正在远离电子储存,寻找新的电阻特性材料,但问题是如何去处理新材料,物理特性如何?如何转化为有效的集成电路?

SMD:我认为7nm和5nm的节点将需要更多晶圆厂的工艺步骤,对吗?哪些进程将需要的大部分步骤?

Dixit:清理将是非常大一部分,毕竟把所有不同类型材料结合在一起,有温度和污染的限制。

SMD :从设备的角度来看,你看到什么?

Dixit:必须看到误差,这是一个巨大的因素。比如一个10nm的线,如何获得相同尺寸和相同的高度,以相同的角度构成相同的几何布局将是一个巨大的挑战。

关键字:专家  聚首  finfet  趋势

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2013/0911/article_9412.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
专家
聚首
finfet
趋势

小广播

独家专题更多

TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved