集中火力攻FinFET 联电确定不玩20纳米

2013-07-31 09:36:05来源: 新电子

    联电将跳过20纳米(nm)制程节点,全力卡位14纳米鳍式电晶体(FinFET)市场。由于20纳米研发所费不赀,加上市场需求仍不明朗,因此联电已计划在量产28纳米后,直接跨过20纳米节点,加速挺进更具投资效益的14纳米FinFET世代,以与台积电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一较高下。 

    联电市场行销处处长黄克勤表示,20纳米制程带来的效益将不如从40纳米演进至28纳米的水准,且须导入双重曝光(Double Patterning)方案,势将增加一笔可观花费,已使处理器业者的导入意愿开始动摇;再加上主要晶圆代工业者皆规画在2015年推出16或14纳米FinFET制程,在多方权衡之下,联电遂决定放缓20纳米投资,专心克服14纳米FinFET牵涉的材料掺杂、测试验证和晶圆前后段混搭制程等技术挑战,以因应即将到来的FinFET市场卡位战。 

    据悉,28纳米高介电系数金属闸极(HKMG)系一具主导性、生命周期较长的制程方案;相形之下,20纳米可能成为非主流制程(Weak Node),因晶片效能提升与投资成本效益不一定胜过直接导入14纳米FinFET,仅有一线处理器大厂为维持技术领先优势才会计划采用。 

    事实上,联电在今年首季即公布其未来的制程演进蓝图与主力推动技术,其中独漏20纳米规画已现端倪。黄克勤指出,目前联电已将火力对准中国大陆应用处理器开发商,以及智慧电视(Smart TV)和机上盒(STB)晶片商导入28纳米制程的庞大需求商机,积极拉拢新客户,以刺激旗下28纳米制程营收成长。 

    至于下一阶段的发展策略,联电亦已押宝14纳米FinFET制程,将于2015年上市,与台积电、格罗方德和三星等大厂展开厮杀。 

    黄克勤强调,英特尔(Intel)率先投入FinFET制程量产,大幅提高处理器效能并降低功耗,近来在行动装置品牌市场已有不错成绩;一旦其市占持续攀升,势将影响高通(Qualcomm)与相关晶圆代工供应链的投资计划,并加速制程研发步调,以免技术差距持续被拉大。因应此一趋势,联电遂倾向将资源集中在FinFET技术上,并跳过20纳米制程发展以免节外生枝。

关键字:28纳米

编辑:冯超 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2013/0731/article_9241.html
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