ST主导的LAST POWER项目:确立SiC二极管和GaN HEMT量产技术

2013-05-29 09:58:28来源: 集微网

由意法半导体ST)担任协调者的欧洲SiC/GaN功率半导体开发项目“LAST POWER(Large Area silicon-carbide Substrates and heTeroepitaxial GaN for POWER device applications)”公布了自2010年4月启动以来3年内取得的开发成果。

       LAST POWER是由欧洲纳米科技倡议咨询委员会联合工作组(European Nanoelectronics Initiative Advisory Council Joint Undertaking,UENIAC JU)于2010年4月启动的功率电子开发项目,由从事SiC及GaN等宽禁带半导体开发的企业、大学及研究机构联合参与开发。除意法半导体以外,成员还有意大利LPE/ETC、意大利国家研究委员会微电子和微系统研究所(IMM-CNR)、希腊海勒斯科学研究基金会(FORTH)、法国NOVASiC公司、意大利Consorzio Catania Ricerche(CCR)、波兰高压物理研究所(Unipress)、意大利卡拉布里亚大学、德国SiCrystal公司、瑞典SEPS Technologies公司、瑞典SenSiC公司,瑞典Acreo公司及希腊萨洛尼卡亚里士多德大学(AUTH)。

       该项目在SiC方面的主要成果为基于SiCrystal公司开发的直径6英寸(150mm)的4H-SiC基板(离轴角度:2度)。这一成果与项目开始时在直径为4英寸(125mm)的4H-SiC基板(离轴角度:4度)上实现的结晶品质相同。LPE/ETC采用这种150mm基板开发出了耐压为600~1200V的结势垒肖特基(JBS:Junction Barrier Schottky)二极管和适合MOSFET的外延膜成膜技术。其中,新开发出了支持150mm基板的CVD反应器。

       LPE/ETC开发出了支持大口径SiC基板的外延成膜技术,在意法半导体面向产业领域的产品量产线上已能制造SiC-JBS二极管。该生产线首批产品的电气特性与采用离轴角度为4度的最尖端SiC基板时相同。关于其中的器件制造技术,在外延生长前的基板处理及器件活性层表面粗糙度的控制方面,NOVASiC开发的CMP(化学机械研磨)技术起了重要作用。NOVASiC在该项目中还负责开发了支持MOSFET和JFET两者的外延生长技术。

       此外,意法半导体和IMM-CNR在SiO2/SiC界面方面推进合作研究,提高了4H-SiC MOSFET的通道迁移率。Acreo和FORTH合作开发出了能够高温运行的4H-SiC JFET和4H-SiC MOSFET使用的技术模块,其中,CCR提供了高可靠性的封装技术。

       在GaN功率半导体方面,意法半导体开发出了在150mm的Si基板上形成HEMT用AlGaN/GaN外延层的技术,并利用厚3μm的外延膜获得了200V的击穿电压。此外,IMM-CNR、Unipress和意法半导体合作开发出了常闭工作型AlGaN/GaN HEMT使用的工艺技术。该工艺技术适合意法半导体量产线的工艺流程。该开发项目确立了在4H-SiC基板(离轴角度:2度)上形成GaN器件及SiC器件的技术,并验证了在同一基板上集成器件的基础技术。(记者:大下 淳一,日经BP半导体调查)

关键字:ST  LAST  POWER  SiC  GaN  HEMT

编辑:陈盛锋 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2013/0529/article_9077.html
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