量子反常霍尔效应预示新时代的来临

2013-04-16 10:50:01来源: 新华网

新华网伦敦4月14日电(记者刘石磊)中国科学家从实验中首次观测到量子反常霍尔效应,英国牛津大学专家对此发现予以高度评价,并指出这一成果预示着一个令人兴奋的新时代的来临。

牛津大学物理系讲师索斯藤·赫斯耶达尔说:“这一成果预示着一个令人兴奋的新时代的来临——对于基础物理学来说,观察到量子反常霍尔效应让研究新的量子系统成为可能;对于更广泛的(电子)设备领域来说,这一成果为研发新式电子器件提供了基础。”

英国牛津大学物理系讲师陈宇林指出,在反常霍尔效应发现120年后,清华大学和中科院物理所的研究团队,在磁性掺杂的拓扑绝缘体材料中实现了量子反常霍尔效应,这是一个很了不起的成就。

陈宇林解释说:“反常霍尔效应是固体中由电子自身的自旋和轨道运动耦合导致的一个输运过程。而在量子反常霍尔绝缘体中,自发磁矩和自旋轨道耦合结合产生了拓扑非平凡电子结构,引起在无外加磁场条件下的量子霍尔效应。因为只有一个自旋通道参与电子导电,使其无损耗的导电比量子自旋霍尔体系更不容易被干扰,这将更有利于应用在低损耗电子和自旋电子学器件中。”

陈宇林认为,这个成就也肯定了近年来中国对基础研究的重视和投入。他说:“在拓扑绝缘体领域,华人科学家和中国国内的研究组作出了巨大的贡献。在过去两年中,清华大学和中科院物理所的研究人员做了大量工作,克服了各种困难,终于在世界上首次实现了这个优美的物理学现象。这说明只要有合适的条件,中国的科研是可以走在世界前沿的。”

关键字:量子反常  霍尔效应  新时代

编辑:马悦 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2013/0416/article_8945.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
量子反常
霍尔效应
新时代

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved