ISSCC论文收录反映中国大陆IC真实水平

2012-11-30 10:19:54来源: IC设计与制造

世界学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议,有着集成电路领域“奥林匹克运动会”之称的国际固态电路会议(ISSCC 2013)将于2013年2月17到21日在美国旧金山举行,这将是ISSCC举办的第 60个年会。日前,ISSCC在上海的新闻发布会上,清华大学王志华教授介绍目前中国大陆论文数每年都基本反映了中国集成电路设计业的水平,与早几年中国大陆能发表ISSCC论文不同在于现在是正常水平的发挥。

在今年的ISSCC处理器部分论文筛选中,中国大陆分别由复旦大学和中科院龙芯公司向ISSCC提交了论文并入选。王志华介绍,在ISSCC上发表论文,至少要满足四个条件:一是设计的电路要最好或是首个设计电路;二是要从原理上说明为什么你提交的电路论文是最好的;三是设计的IC有什么功能,会产生什么样的影响力;四是要经流片验证确实可实现运行。当然,政府的鼓励也为国内IC业者走向国际的一大推力,上海集成电路行业协会副秘书长薛自透露,上海张江针对每年获奖论文将给予个人奖励。

Godson-3B1500这一中科院新版龙芯3B处理器采用32nm HKMG工艺,性能大大提升。根据其路线图,龙芯3系列未来还会有28nm工艺制造龙芯3C,有8-16个内核,主频1.5-2.0GHz,双精度浮点性能可达512GFlops。在ISSCC 2012发表16核处理器基础上,复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室的24核处理器采用了多个新技术,包括包控制电路交换(Packet Controlled Circuit-Switched)的双层片上网络来进一步提升多核的核间通讯能力,以及异构执行单元阵列来加速某些关键应用。

另外,在ISSCC2013的处理器部分,来自瑞萨电子的28nm工艺移动SoC,三星电子的LITTLE A15+A7双重架构处理器,德州仪器/麻省理工学院的200MHz视频解码器,NVIDIA采用28nm CMOS工艺20Gb/s带宽的内核间串行互联用来连接ARM CPU核心、GeForce GPU核心,Intel采用32nm CMOS工艺可扩展的64-lane芯片间互联总线级总功耗仅有2.6W等,也都是极具吸人眼球的亮点。

ISSCC 2013 远东主席Ikeda教授、副主席 Arimoto教授、秘书 Lee博士,介绍了入选论文反映出的国际集成电路、信息技术、存储器、无线通讯、系统集成等各热点方向的最新技术、产业进展及其发展趋势,详情请参阅PDF文档1,PDF文档2,PDF文档3,PDF文档4,PDF文档5,PDF文档6。

关键字:ISSCC  论文收录  中国大陆IC

编辑:马悦 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2012/1130/article_8420.html
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