GLOBALFOUNDRIES: 14nm准备好了吗?

2012-10-10 10:53:33来源: EEWORLD

日前,GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架构的14nm-XM技术,其全球销售和市场营销执行副总裁Michael Noonen近日接受媒体访问,对有关问题进行了解读。

   

    GLOBALFOUNDRIES全球销售和市场营销执行副总裁Michael Noonen

XM 是 eXtreme Mobility 的缩写,作为业界领先的非平面结构,它真正为移动系统级芯片(SoC)设计做了优化,能提供从晶体管到系统级的全方位产品解决方案。与目前20纳米节点的二维平面晶体管相比,该技术可望实现电池功耗效率提升 40%~60%。

Noonen表示:“2013年就会有客户试产14nm-XM技术,2014年则会量产。”

Noonen非常满意GLOBALFOUNDRIES在14nm上的进展,其表示:“能够跟上Intel的平台速度,主要取决于我们在该领域研发了十年以上,同时也可以利用HKMG相关生产经验,此外14nm制程可以与20nm LPM制程元素结合。”

   

    GLOBALFOUNDRIES及其合作伙伴 10年间关于FinFET技术的研发进展

Noonen强调,75%以上的FinFET相关专利是属于GLOBALFOUNDRIES及合作伙伴。

“XM不只是FinFET,而是一个完整的解决方案。包括IP、CCS等。”和Intel不同,XM技术首要应用将是移动芯片领域,因此这也是第一个专为移动器件优化的FinFET技术。

谈到移动器件,就不得不说ARM。Noonen说道:“GLOBALFOUNDRIES自2009年起,就与ARM合作优化28nm工艺制程,我们是业界第一个推出经过Foundry优化的Cortex-A9架构工艺制程。我们的28nm-SLP工艺目前可最大支持到1.6GHz。同时,GLOBALFOUNDIES最近宣布了一项新协议,与ARM共同开发FinFET器件工艺,这些合作有利于未来FinFET技术的迁移。”

Noonen认为,GLOBALFOUNDRIES开创了全新的代工厂合作模式:在Noonen看来,以前的传统模式属于过去的IDM模式都是基于自主研发,风险非常之大,现在的代工模式虽然解决了分工问题,但合作方式仍存在部分沟壑,因此双方仍无法共同解决部分问题。而GLOBALFOUNDRIES开创的合作器件生产模式(Collaborative Device Manufacturing)则很完美的解决了代工厂的种种弊端,Noonen认为这种类似IBM模式的合作方式,“是全世界最好的IDM和最复杂代工模式的结合。可以拓展客户的战略需要。”

“更重要的是要透过协同合作才能够让两者之间共享成功的结果。”Noonen补充道,“EUV和450mm晶圆技术对于未来来说非常重要,这也就是为什么我们一直与其他供应商共同合作,为下一代研发做好充足准备。而且,对于GLOBALFOUNDRIES来说,我们的策略是和不同的技术合作伙伴一起努力,以确保必要的创新。”

关键字:GLOBALFOUNDRIES  14nm

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2012/1010/article_8158.html
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