三星、海力士 加码资本支出

2012-04-13 10:06:44来源: 经济日报

韩国三星海力士调高今年资本支出,幅度约两成,年度新资本支出总和23兆韩元(约新台币5,952亿元)起跳,创历史新高。三星有望再次超越英特尔,成为全球半导体业资本支出最大的业者,要靠存储器赚钱,强化晶圆代工实力,成为台积电强劲对手。

业界解读,三星与海力士砸大笔钞票投资,不仅要把全球DRAM市场「整碗捧走」,也有防堵东芝一旦顺利取得尔必达竞标,日本厂商在存储器业再度坐大的意味,抢在东芝结合尔必达之前先发制人。

分析师预期,三星、海力士大举加码资本支出,将扩大与台湾、美国、日本等存储器业者差距。三星、海力士今年上半年在DRAM业的市占总和,有望首度冲上七成。

韩国时报报导,三星加码今年半导体投资,由原订15兆韩元(约新台币3,880亿元)增加二成至18兆韩元(约新台币4,666亿元)。新增投资额主要用来改造美国德州奥斯汀厂成为系统芯片专属工厂,并发展NAND与DRAM产品。

据报导,三星存储器业务总裁全东守(Jun Dong-soo)坦言,若尔必达被东芝或其它竞争对手收购,三星势必面临挑战,因此决定先发制人。

海力士规划今年资本支出由原订4.2兆韩元(约新台币1,086亿元)调高20%至5兆韩元(约新台币1,293亿元)。三星、海力士是全球前两大DRAM厂,两家公司去年第四季市占率各为44.3%、23.3%,尔必达排名第三、市占率12%。储存型快闪存储器(NAND Flash)方面,三星、海力士市占率各为34.6%、13.7%,分居龙头与第三;东芝市占率29.7%,排名第二。

业界指出,三星今年首季营业利益大增96.6%,最大贡献来自存储器部门,尤其DRAM结合NAND芯片出货的利润丰厚。若东芝拿下尔必达,就取得兼具DRAM与NAND芯片优势,韩国业者不敢掉以轻心。

三星、海力士势力持续扩张,更具银弹与技术优势,为未来新投资做准备。三星更能藉由在存储器业的获利,投入晶圆代工研发,成为台积电强劲对手。

关键字:三星  海力士  资本支出

编辑:马悦 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2012/0413/article_7080.html
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