科学家发明半导体腐蚀新技术

2011-12-27 11:30:31来源: 科学时报

    美国伊利诺伊大学的研究人员发明了一种化学腐蚀新技术,可以在砷化镓(GaAs)中生成图形化阵列。该技术使高端光电装置的制备变得更容易。相关研究论文于11月3日在线发表在《纳米快报》(Nano Letters)上。

    通常用两种方法来进行半导体腐蚀:湿法腐蚀和干法腐蚀。在光电应用方面,III-V族半导体GaAs是比硅性能更好的半导体材料。大的宽高比结构对高端光电装置应用至关重要,但是GaAs难以用传统干法腐蚀来得到大的宽高比结构。李秀玲(Xiuling Li)领导的小组优化了MacEtch方法(金属辅助化学腐蚀方法),同时为了在GaAs表面生长金属薄膜图案,李秀玲小组完善出一种软刻蚀技术。李秀玲说,结合软刻蚀技术和MacEtch方法可以以低成本的方式大面积生产高宽高比的III-V族纳米结构半导体。

    李秀玲表示,只要找到合适的刻蚀条件,MacEtch方法就可以广泛应用。(科学网 徐绍亮/编译)

    相关仪器及方法:金属辅助化学腐蚀法

    完成人:李秀玲课题组

    实验室:美国伊利诺伊大学电子与计算机工程系/材料科学与工程系/微纳米技术实验室

关键字:科学家  半导体  腐蚀技术

编辑:赵思潇 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2011/1227/article_6732.html
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