氧化物半导体TFT专利授权给三星

2011-08-24 11:17:37来源: 日经技术在线
  日本科学技术振兴机构(JST)2011年7月与韩国三星电子就使用氧化物半导体的“IGZO(In-Ga-Zn-O)TFT”技术专利签署了授权协议。该技术基于东京工业大学应用陶瓷研究所教授细野秀雄的研究小组1995年开始开发的“透明氧化物半导体TAOS)”(图1)。

  IGZO TFT是实现具有超高精细、高速驱动及柔性等特点的新一代显示器的核心技术之一,日本国内外的面板厂商正在进行激烈的开发竞争(图2)。这是因为IGZO TFT的载流子迁移率高达非晶硅型TFT的数十倍,而且很少产生制造偏差。另外,IGZO能够采用低温工艺,还可考虑在基本室温下于树脂基板上制作TFT。除了三星之外,最近夏普、日本半导体能源研究所(SEL)及东芝等也加入了实用化竞争。

  此次向三星提供授权的专利技术基于细野在JST的支持下取得的研发成果。细野自己的专利以及JST拥有的专利广泛涉及材料成分、设备及制造工艺等,共有数十项。除了在JST的支持下获得的专利之外,东京工业大学与佳能共同取得的专利也有“10项左右”(细野)。此次将把这50多项专利打包提供给三星。

正是因为三星专利才得以实用化

  此次的专利基于在日本政府资助下取得的研究成果,JST宣布向三星提供专利授权之后,引起了不同反响,其中不乏指责之声。细野对此作出了以下解释:①与三星签署的协议没有排他性,授权大门同样向日本国内企业敞开,②如果没有三星的话,辛苦开发出来的IGZO TFT就有可能无法实用化。

  第②点尤其重要,细野就此高度评价了三星公司的研发能力与管理层的投资判断力。据说细野2004年在英国的学术杂志《自然》上发表IGZO TFT相关论文时,日本大型面板厂商的反应十分迟钝。“看到论文后立即与我们联系的企业是佳能、凸版印刷、韩国LG电子以及三星的研发部门——三星尖端技术研究所(SAIT)”(细野)。


图1:从倡导这项技术到实用化共花费了16年的时间
与东京工业大学的细野研究小组开发的氧化物半导体专利及开发相关的事件。红字为细野直接参与的事件。

关键字:氧化物半导体  TAOS  TFT

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2011/0824/article_6384.html
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