中科院半导体所HgTe半导体量子点研究取得新进展

2011-05-31 08:49:49来源: 光明网

  近年来,拓扑绝缘体材料以其独特的物性吸引了科学界广泛的研究关注。这类材料内部是绝缘体,而在边界或/和表面则显示出金属的特性。这种独特的性质无法按照传统的材料分类方法来区分。其能带结构由Z2拓扑不变量来刻画。目前人们注意力集中在拓扑绝缘体块材的制备和输运性质研究方面。相对而言,拓扑绝缘体纳米结构的研究则刚刚开始,这对构造新型的电子学器件是十分重要的。由于纳米制备技术复杂,因此目前实验上难于制备高质量的拓扑绝缘体纳米结构。

  半导体材料HgTe恰巧是一种拓扑绝缘体,并且材料生长和器件制备技术已相当成熟。在国家基金委,中科院创新工程和科技部的支持下,半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室常凯研究员和博士生娄文凯,从理论上提出了一个利用半导体刻蚀技术制备拓扑绝缘体HgTe量子点的方案。

  在通常的半导体量子点中,基态中的电子会集中分布在量子点中心。HgTe量子点的电子基态则分布在量子点边缘附近。这类新的量子态是边缘态沿量子点边界量子化的结果。由于这种特征,人们可以期待在量子点中能够看到Aharonov-Bohm效应,并以此来检测边缘态的存在。同时,这类新的量子点在偶极近似下是光跃迁禁戒的,即所谓的“暗态”。因此可能用来存储量子信息。

  该研究成果发表在国际著名物理学期刊《物理评论快报》(Phys. Rev. Lett., 106, 206802(2011))。 该项研究对于研究拓扑绝缘体纳米结构和构造相干电子学器件具有一定的指导意义。

关键字:中科院  半导体  导体

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2011/0531/article_6070.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
中科院
半导体
导体

小广播

独家专题更多

2017东芝PCIM在线展会
2017东芝PCIM在线展会
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved