三星冷静面对芯片巨头联手牵制

2011-05-12 09:54:56来源: 中国企业新闻网

    三星电子副总裁崔志成10日就近来苹果英特尔、尔必达等芯片领域的竞争企业纷纷展开猛烈攻势表示“不用担心”。最近,苹果起诉三星电子侵犯专利权,尔必达和英特尔则抢先三星电子一步分别公布了开发并量产25纳米级DRAM储存芯片和3D芯片的计划。

    当天,正准备前往巴西出差的崔志成在金浦机场接受了记者的采访。他表示:“国民好像很担心。如果说‘我们有信心’,会显得没有风险意识。但对苹果、尔必达、英特尔等近来的热点话题观察和分析后发现,其实不需要担心。”

    他还说:“我认为,竞争企业不会毫无根据的发布开发新产品的消息。我们时刻保持紧张,认真度过每一天。”

    他此前也强调指出:“要想争做第一,必须领先竞争对手一年。”他对此解释说:“意思是需要培养未来竞争力。不仅是芯片领域,在所有领域都要领先对手一年。这样才能产生利润、让股东满意、贸易收支实现顺差,也能缴纳更多企业所得税,不是吗?”

    此次崔志成巴西之行,随同的有三星电子影像显示部总经理尹富根、无线事业部总经理申宗均、生活家电事业部副总经理洪昌完等。崔志成一行计划,访问包括三星电子巴西工厂在内的其它南美地区。

关键字:三星  苹果  英特尔  3D芯片  25纳米

编辑:赵思潇 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2011/0512/article_5987.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
三星
苹果
英特尔
3D芯片
25纳米

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved