中国集成电路产业将步入新增长周期

2011-03-10 10:55:03来源: 电子网
    “从中长期来看,随着未来国内外市场的进一步回暖,我国集成电路产业又将步入一波新的增长周期。”中国半导体行业协会理事长江上舟在3月2日于苏州召开的2011年中国半导体市场年会暨第五届中国半导体创新产品和技术发布仪式上表示。这次会议由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院、苏州工业园区管委会联合主办,由赛迪顾问股份有限公司与苏州市集成电路行业协会承办。年会以“把脉战略新兴产业、共促市场合作共赢”为主题,与会代表就“市场走势与产业新政”、“新形势下半导体市场发展”和“绿色经济下的半导体商机”等热点话题,进行了深入探讨。中国半导体产业在“十二五”时期迎来新战略机遇期,将实现持续增长,成为与会者的共识。

    产业持续增长

    经历2008年、2009年连续两年的负增长之后,2010年我国集成电路产业出现强劲反弹,全年产业规模达到1440.15亿元,同比大幅增长29.8%。江上舟说,我国的集成电路产业不但产业规模高速增长,还呈现出一些新的特点。集成电路产业技术取得明显进步,中芯国际65纳米逻辑电路工艺进入量产阶段;上海展讯基于40纳米线宽的3G手机芯片等实现量产;新型封装技术,特别是堆叠式(3D)封装技术,已应用于产品生产。重点产品开发和应用取得突,我国IC设计企业在智能手机平台方面表现亮眼,整机企业向上游芯片的研发,呈现良好的前景。

    2010年我国集成电路产业的强劲反弹,既得益于全球经济回暖的大环境,也得益于平板电脑、智能手机、平板电视等产品热销的拉动。然而,这一强势反弹究竟仅是触底后的恢复性增长,还是产业再次步入新一轮的增长周期?对此,江上舟认为,在全球半导体产业持续增长与我国内需市场继续保持旺盛的双重拉动下,2011年我国集成电路产业将继续保持较快的增长速度。2011年我国的电子信息产业将继续实现15%的增长,这将对我国IC产业起到推动作用。我国IC产业由于受到新兴消费电子产品市场的强劲拉动,战略性新兴产业的带动,考虑到英特尔大连工厂、上海华力的投产,以及中芯国际的扩厂等因素,2011年我国集成电路产业销售额增幅预计将超过20%。

    江上舟认为,在国家大力发展战略性新兴产业的大背景下,3G移动通信、物联网、新型显示、半导体照明、汽车电子等新兴领域正迅速发展成熟。其中孕育的巨大市场机遇将成为“十二五”我国IC产业进一步快速发展的强大动力。我国集成电路产业将迈向下一个黄金十年。

    未来充满商机

    2011年以及“十二五”期间,我国集成电路产业都面临难得的发展契机。最近国务院发布实施《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》(国发〔2011〕4号文),这将为产业发展营造更加优良的政策环境。国家大力发展下一代信息技术、节能环保、新能源、新能源汽车、高端装备制造等战略性新兴产业,这将为中国集成电路市场注入新的活力。

    中国半导体行业协会副秘书长、赛迪顾问股份有限公司总裁李峻认为,提高核心竞争力、提高发展质量、实现向“创新驱动、内生增长”转型,是我国电子信息产业“十二五”发展目标。作为电子信息产业的核心与基础,集成电路应面向IT新兴领域包括网络通信、消费电子、医疗电子、物联网等加快创新研发;面向新能源与节能减排领域,包括绿色照明、智能电子、智能电网和新能源汽车等,加快产品开发和应用推广。

产业的增长离不开新市场新应用的推动。赛迪顾问半导体产业业务总监李珂认为,未来集成电路市场发展的主要驱动力来自PC、手机、液晶电视以及其他产量较大的电子产品。此外,xPad等新兴电子产品市场的发展也在一定程度上推动半导体市场的发展,随着医疗电子、安防电子以及各个行业的信息化建设的持续深入,应用于这些行业的集成电路产品所占的市场比重将会越来越高。

    创新永无止境

    虽然产业步入新增长周期,但中国半导体企业创新能力不足、产业资源整合能力较弱等深层次问题对产业发展的制约依然存在。再加上未来2年国内外市场增速将明显放缓等预期,我国集成电路产业要实现持续增长,加快创新是必由之路。

    美国半导体协会公共政策副总裁DarylHatano指出,半导体行业应该走出“仪器室”面向“消费者”并加快创新。他认为,半导体技术在解决能源和老龄化社会问题方面作用巨大。运用半导体技术,有助于实现替代能源,提高家庭能效和交通运输能效,至2030年,包括智能电机、LED照明、智能电网、电子交通、远程会议和电力管理在内的半导体解决方案可以实现节电1.2万亿千瓦时。他说,世界正在走向老龄化,中国正处在赡/抚养比率最高时期。而下一代宽带网络的普及,可进行互操作的电子病历,可携带的“家用”医疗设备等信息技术的应用,将大大降低保健成本。

    IBM研究院总部及国际科技合作部全球副总裁TomReeves在高性能芯片与通用处理器设计的挑战,机会与战略合作”的报告中和与会者分享了IBM公司在芯片创新方面的经验,他呼吁中美企业在此领域加强交流与合作。他指出,深微纳米的设计技术创新才刚刚开始,深微纳米工艺技术发展给设计带来了两大挑战:性能波动范围加大,性能均值增速减缓。更精准测算及缩小性能波动范围、三维芯片设计与集成技术、三维芯片与系统设计将需要新的系统架构,需要集成电路设计平台与工艺封装技术的联合创新。他表示,IBM希望与中国建立高性能芯片与通用处理器设计平台与技术的战略创新联盟。

关键字:集成电路产业  半导体行业  十二五

编辑:赵思潇 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2011/0310/article_5724.html
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