英特尔院士:3nm将成为硅栅极工艺极限

2011-03-09 19:19:12来源: EEWORLD

    根据英特尔院士,ITRS主席兼英特尔技术及制造部集团董事Paolo Gargini日前表示,英特尔迄今为止,仍未研制出能够节能一至两个数量级的低漏电器件。

    “也许到2025年,我们才可以克服一切困难。”Gargini表示。

    因此,在未来的十年内,传统的光刻技术还将存在,“我们仍然可以遵从摩尔定律至10nm甚至更小,但到了1nm、2nm或3nm时,也许一切都将改变。

    过去20年,英特尔采取了一系列创新之举以便解决材料问题,包括应变硅、高K金属极,以及EUV等技术,一定程度上克服了硅技术的限制,但现在来讲,已经接近了硅材料的极限了。

    如今,英特尔已经在广泛选择后硅时代的材料,包括III-V族化合物,比如砷铟化镓的量子阱场效应管(QWFET)和隧道二极管等。

关键字:英特尔  

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2011/0309/article_5722.html
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