瑞萨将上市SiC功率半导体 2011年10月量产

2011-03-03 10:51:44来源: 赛迪网
    据了解,瑞萨电子计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。瑞萨计划从2011年10月开始少量量产,2012年3月以后以10万个/月的规模量产。该公司还打算在2011年度内,样品供货耐压提高至1200V的SiC-SBD。耐压600V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”将从2011年3 月底开始样品供货。除了空调等白色家电外,预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC(功率因数校正)电路以及逆变器电路。

瑞萨此次上市的SiC-SBD,是在与日立制作所共同开发的技术基础上开发的。除了可将开关时的电力损失较Si制SBD降低40%外,还具有驱动电压只有1.5V的特点。据瑞萨介绍,验证导入PFC电路的效果发现,以SiC-SBD替换与Si制MOSFET相组合的Si制SBD后,工作效率提高了0.3个百分点。

瑞萨除了将此次的SiC-SBD作为单独部件提供外,还计划以在同一封装中集成Si制IGBT及MOSFET的模块和裸片形态提供。共备有电流容量为 10A、15A、20A和30A的4款产品。封装目前与该公司Si制功率半导体制品的相同。备有两个引线端子,外形尺寸与TO-220实型(Full Mold)相当。

关键字:瑞萨  SiC功率半导体  SiC-SBD

编辑:赵思潇 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2011/0303/article_5709.html
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