克服稀土慌 东电电子开发成功钌回收技术

2010-12-01 17:04:49来源: 半导体行业协会
  东电电子(TEL)与田中贵金属工业宣布,两公司共同开发的(Ru)回收技术已成功确立。该技术可在使用CVD装置形成作为铜(Cu)布线的下层膜(Liner膜)的Ru膜时,对CVD用Ru材料(钌前驱体)中未用于成膜而废弃的Ru进行回收提炼,并加以循环再利用。据称,由此不仅可以有效利用贵金属Ru,而且还能削减二氧化碳(CO2)排放量。
  
  在此次的共同开发中,东电电子开发了在Ru-CVD装置内对没有沉积到晶圆上的残留物进行回收的装置,而田中贵金属工业则开发了提炼已回收的残留物并加以再利用的技术。据称,由此次的技术,Ru前驱体成本可削减约20%。另外,提炼Ru前驱体时新生成的CO2等也能够削减约30%。
  
  东电电子目前已涉足应用范围不断扩大的Cu布线相关制造装置市场。手握Ru-CVD技术是这一举动的关键。该公司设想支持3X~2Xnm的Cu布线工艺,首先利用溅镀机使厚约5nm的势垒金属(钽或钛类)成膜,然后利用CVD形成厚约2nm的RuLiner膜。接着利用溅镀机使厚约10nm的Cu籽晶层成膜,最后镀铜。其中,Cu籽晶层形成之前的工艺利用8腔构成的装置连续处理。该工艺中势垒金属、Liner膜及籽晶层的膜厚合计不到20nm,比现有溅镀机法所需要的40nm左右减少了一半。作为该技术的一环,东电电子与田中贵金属工业共同开发出了此次的Ru回收技术。另外,此次的技术还预定在2010年12月举行的“SEMICONJapan2010”上展出。

关键字:  金属

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2010/1201/article_4715.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
金属

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved